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真空与薄膜技术复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.下列属于高真空泵的是（）

A.机械泵

B.扩散泵

C.分子泵

D.滑阀泵

2.磁控溅射镀膜中，引入磁场的主要目的是（）

A.提高靶材利用率

B.增加等离子体密度

C.降低基底温度

D.提高沉积速率

3.真空的划分中，低真空的范围是（）

A.103~10?1Pa

B.10?1~10??Pa

C.10??Pa

D.10?~103Pa

4.薄膜沉积速率的表达式为R=m/(ρ·A·t)，其中ρ代表（）

A.单位时间内沉积的薄膜质量

B.薄膜密度

C.基底面积

D.沉积时间

5.热蒸发镀膜与溅射镀膜相比，其主要缺点是（）

A.膜附着力弱

B.台阶覆盖率差

C.难制备高熔点材料

D.沉积速率低

6.真空系统中设置冷阱的主要作用是（）

A.降低系统温度

B.阻止油蒸气返流

C.提高抽气效率

D.减少气体分子碰撞

7.台阶覆盖率的定义是（）

A.薄膜在基底台阶处的厚度与平坦处厚度的比值

B.薄膜厚度与基底面积的比值

C.沉积速率与溅射功率的比值

D.真空度与气体压强的比值

8.在分子流状态下，真空容器抽气时间t的计算公式为（）

A.t=V/S·ln(P?/P)

B.t=S/V·ln(P/P?)

C.t=V·S·ln(P?/P)

D.t=V/S·ln(P/P?)

9.制备透明导电氧化物薄膜时，提高基底温度的主要目的是（）

A.增加薄膜结晶度

B.降低沉积速率

C.减少靶材利用率

D.增加氧气分压

10.溅射镀膜中，高能粒子轰击靶材的主要结果是（）

A.靶材原子被溅射出来

B.降低基底温度

C.提高真空度

D.减少等离子体密度

填空题（每题2分，共30分）

11.真空的划分中，高真空的范围是______Pa。

12.薄膜沉积速率R的定义为单位时间内单位面积上的薄膜厚度，表达式为R=______。

13.真空度表示真空系统中______的程度，其数值等于气体压强。

14.磁控溅射镀膜中，磁场的作用是延长______的运动轨迹。

15.热蒸发镀膜的原理是通过加热靶材至______，使原子/分子逸出并在基底表面凝结。

16.溅射镀膜中，高能粒子通常是______离子。

17.真空系统中，机械泵属于______真空泵。

18.薄膜附着力是指薄膜与基底之间的______强度。

19.台阶覆盖率=1时，薄膜沉积表面形貌为______。

20.计算抽气时间时，V代表真空容器的______。

21.ITO薄膜是______导电氧化物薄膜的典型代表。

22.溅射镀膜的缺点包括设备复杂和______较低。

23.真空度划分中，超高真空的范围是______Pa。

24.薄膜折射率是表征薄膜______特性的重要参数。

25.沉积速率公式R=m/(ρ·A·t)中，m代表______。

名词解释（每题3分，共15分）

26.真空度

27.台阶覆盖率

28.溅射镀膜

29.冷阱

30.沉积速率

简答题（每题5分，共20分）

31.简述热蒸发镀膜与溅射镀膜的原理。

32.比较热蒸发镀膜与溅射镀膜的优缺点。

33.真空系统中为何需要设置冷阱？冷阱的作用是什么？

34.如何通过优化溅射功率提高薄膜质量？

计算题（每题5分，共10分）

35.某真空容器体积V=0.1m3，用机械泵（抽速S=0.02m3/s）从大气压（P?=1.0×10?Pa）抽至10?2Pa，忽略管道流阻，计算所需时间（分子流状态下，t=V/S·ln(P?/P)）。

36.薄膜沉积中，单位时间内沉积质量m=0.5g，基底面积A=0.01m2，薄膜密度ρ=5000kg/m3，计算沉积速率R（单位：nm/min，1m3=10?nm3）。

论述题（5分）

37.在制备ITO薄膜时，如何通过优化基底温度、氧气分压