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- 2026-01-29 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118363189A
(43)申请公布日2024.07.19
(21)申请号202410446892.1
(22)申请日2024.04.15
(71)申请人重庆邮电大学
地址400065重庆市南岸区南山街道崇文
路2号
(72)发明人马勇郑佐月马晓燠郭晓越
胡帅刘海涛黎人溥许光洪
孙晓路陈沁樊逢佳周幸叶
(74)专利代理机构成都行之专利代理有限公司
51220
专利代理师喻英
(51)Int.Cl.
G02F1/01(2006.01)
G02B6/293(2006.01)
G02B1/00(2006.01)
权利要求书1页说明书6页附图3页
(54)发明名称
一种基于超材料和VO的可调谐太赫兹分波
2
器及其制作方法
(57)摘要
本发明公开了一种基于超材料和VO的可调
2
谐太赫兹分波器,由单元结构沿x、y方向周期性
排列而成;其中,单元结构为正方体形状,包括:
介质层、金属图案层和VO2结构层;金属图案层位
于介质层上表面;VO2结构层位于介质层下表面;
其中,金属图案层包括闭口方环结构和第一条带
结构;第一条带结构位于闭口方环结构的中间,
与闭口方环结构其中两边平行;且第一条带结构
的长大于闭口方环结构的边长,将闭口方环结构
平均分成两部分;VO2结构层包括第二条带结构;
第一条带结构和第二条带结构均为“一”字型长
A方体形状。本发明通过在超材料结构中加入相变
9材料VO实现可调谐,可实现在一个器件上将三
82
1
3种不同频率的太赫兹波分离,提高了单个器件的
6
3
8信道容量。
1
1
N
C
CN118363189A权利要求书1/1页
1.一种基于超材料和VO的可调谐太赫兹分波器,其特征在于,由单元结构沿x、y方向周
2
期性排列而成;其中,所述单元结构为正方体形状,包括:介质层、金属图案层和VO结构层;
2
所述金属图案层位于所述介质层上表面;
所述VO结构层位于所述介质层下表面;
2
其中,所述金属图案层包括闭口方环结构和第一条带结构;
所述第一条带结构位于所述闭口方环结构的中间,与所述闭口方环结构其中两边平
行;且所述第一条带结构的长大于所述闭口方环结构的边长,将所述闭口方环结构平均分
成两部分;
所述VO结构层包括第二条带结构;
2
所述第一条带结构和所述第二条带结构均为“一”字型长方体形状。
2.根据权利要求1所述的一种基于超材料和VO的可调谐太赫兹分波器,其特征在于,所
2
述闭口方环结构包括外环结构和内环结构;
所述外环结构的边长为329~349μm;所述内环结构的边长为267~287μm;
所述第一条带结构的长为455~475μm,宽为37~47μm。
3.根据权利要求1所述的一种基于超材料和VO的可调谐太赫兹分波器,其特征在于,所
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