CN118748199A 一种平面型碳化硅igbt及其制作方法 （电子科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118748199A

(43)申请公布日2024.10.08

(21)申请号202410857536.9H01L29/739(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

(22)申请日2024.06.28

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区（西区）

西源大道2006号

申请人国网智能电网研究院有限公司

(72)发明人张金平汪婕吴鹏飞孙帅

张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所

(普通合伙)51232

专利代理师敖欢

(51)Int.Cl.

H01L29/06(2006.01)

H01L29/16(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图29页

(54)发明名称

一种平面型碳化硅IGBT及其制作方法

(57)摘要

本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及

一种平面型碳化硅IGBT及其制作方法。本发明可

以在几乎不影响SiC

IGBT性能的同时，提高其短

路性能。本发明引入的分离栅、低厚度且较高掺

杂的N型注入区和P型基区组成寄生双栅JFET结

构，该寄生双栅JFET的饱和电流低于IGBT的饱和

电流，同时该结构形成一个低阻导电通道，降低

器件导通电阻的同时，箝制了器件的饱和电流，

从而有效减小碳化硅IGBT短路时的功率密度，改

善其短路特性，提高了器件的短路耐受时间。

A

9

9

1

8

4

7

8

1

1

N

C

CN118748199A权利要求书1/2页

1.一种平面型碳化硅IGBT，以二维直角坐标系对器件的二维方向进行定义：定义器件

横向方向为X轴方向、器件垂直方向为Y轴方向，其特征在于，其元胞结构包括从下至上沿Y

轴依次层叠设置的背部集电极金属(12)、P+衬底(11)、N型电流扩展层(10)、N‑漂移区(9)、N

型载流子储存层(15)、分裂栅结构(3‑1、3‑2)、介质层(2)和源极金属(1)；

所述分裂栅结构包括沿X轴依次设置的控制栅(3‑1)和分离栅(3‑2)，所述分离栅(3‑2)

与源极金属(1)等电位，所述控制栅(3‑1)覆盖所述N+源极区(4)和N型注入区(7)的部分表

面，所述控制栅(3‑1)和分离栅(3‑2)与碳化硅表面之间具有氧化层(8)；分离栅(3‑2)覆盖P

型基区(6)的部分表面；控制栅(3‑1)、氧化层(8)和P型基区(6)组成了MOS结构；

沿X轴方向，P+衬底(11)的顶层具有P型基区(6)，所述P型基区(6)的顶层中具有并排设

置且侧面相互接触的P+接触区(5)和N+源极区(4)，所述N型注入区(7)靠近所述N‑漂移区

(9)的侧面设置；所述源极金属(1)位于所述N+源极区(4)、所述P+接触区(5)上，所述源极金

属(1)与所述分裂栅结构之间具有介质层(2)；所述P型基区(6)之间的N‑漂移区(9)的顶层

中具有N型注入区(7)，所述N型注入区(7)的侧面位于所述P型基区(6)的内部；沿Y轴方向，N

型注入区(7)设置在N型载流子储存层(15)的顶层，从而在MOS结构右方形成由P型基区(6)、

N型注入区(7)以及分离栅(3‑2)组成的寄生双栅JFET结构；分离栅(3‑2)覆盖P型基区(6)的

部分表面，且所述寄生双栅JFET结构的饱和电流低于所述MOS结构的饱和电流；