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《半导体物理与器件》

第五章半导体器件制备技术

主讲人：吴甲民

邮箱：jiaminwu@hust.edu.cn

东八楼旁快速制造中心203室

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半导体器件制备技术

前面几章以相关半导体为基础，讨论了双极型晶体管、MOS场效应晶体

管的特性与其工作机理。

为有助于对器件理论的理解和掌握，增强对微电子学领域的感性认识，

启发初学者学习半导体器件物理的兴趣，本章简要介绍基本的器件制备

技术及其原理。

许多关键的半导体技术可以追溯到18世纪末和19世纪初，杂质原子的基

本扩散理论是在1855年提出的，于1952年利用扩散技术来改变硅的电导

率。

1957年把古老的图形曝光技术应用在半导体器件的制备中，用一些感光

且抗刻蚀的聚合物来作图形的转移。同年发现氧化物薄层可以防止大部

分杂质的扩散穿透，并提出化学气相沉积外延生长技术。2

半导体器件制备技术

1958年提出离子注入技术掺杂半导体，这种技术可以精确地控制掺杂原子

的数目，从此扩散和离子注入两种技术相辅相成实现不同的杂质掺杂。

1960年提出平面工艺，在这项技术中，整个半导体表面先生长一层氧化层

，再用图形曝光刻蚀工艺，将部分的氧化层移除，并留下一个窗口，然后

将杂质通过窗口掺杂到半导体形成PN结。

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半导体器件制备技术

随着集成电路的复杂度增加，又陆续发明了多晶硅自对准栅极工艺、干法刻

蚀技术取代了湿法腐蚀技术、分子外延技术……等，从19世纪80年代早期起

，很多新的制备技术陆续产生且已跟上器件尺寸缩小后的要求。

由于现代半导体器件和集成电路的制造均采用基于固态扩散技术的平面工艺

，平面工艺包括外延、氧化、光刻、杂质扩散及金属化。

因此，本章以平面工艺为主线，对主要技术原理进行讨论。

不过在这里要说明的是，制造一个完整的器件或集成电路需要经过设计、掩

膜版制造、芯片制造、装配、检测等几十道工序完成，制造过程如下图所示

，但本章的重点是芯片制备技术。4

半导体器件制备技术

器件制备过程示意图

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主要内容

1.晶体生长与外延

2.硅的热氧化

3.光刻与刻蚀技术

4.半导体中的杂质掺杂

5.介质薄膜化学气相淀积技术

6.金属薄膜的物理气相淀积技术

7.制备半导体器件工艺流程

8.小结

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1.晶体的生长与外延

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晶体基本生长技术

元素硅是通过硅的化合物如SiCl和SiHCl进行化学反应分解或是通过碳在

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炉内对二氧化硅（硅砂SiO）进行还原而获得的。

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以后者为例，制造硅的原始材料是一种被称为高纯度的硅砂（SiO），将