半导体物理与器件第4章MOS场效应晶体管.pdfVIP

《半导体物理与器件》

第四章MOS场效应晶体管

主讲人：吴甲民

邮箱：jiaminwu@hust.edu.cn

东八楼旁快速制造中心203室

1

MOS场效应晶体管

场效应晶体管是不同于双极型晶体管的另一类晶体管。

它是一种电压型控制器件，由于它的工作电流只涉及一种载流子（即多数载流

子），所以称其为“单极型晶体管”。

根据结构和制造工艺的不同，场效应晶体管可分为三类：结型场效应晶体管（

JFET）、金属-半导体场效应晶体管（MESFET）和绝缘栅场效应晶体管（

MISFET）。

在绝缘栅场效应晶体管中可以单元素半导体Ge、Si为衬底材料，也可以化合物

半导体GaAs、InP为衬底材料，目前使用Si材料的最多。

MIS器件栅下的绝缘层可以选用SiO、SiN和AlO等绝缘材料，但以使用SiO

24232

最为普遍。因此，M-SiO-Si是MISFET的代表结构，简称MOS场效应晶体管。2

2

MOS场效应晶体管

MOSFET在半导体器件中占有相当重要的地位，它是大规模集成电路和

超大规模集成电路中最基本、最核心的组成部分。

所以本章主要讨论MOS场效应晶体管的基本工作原理、直流特性和交流

特性等。

本章在介绍MOS场效应晶体管的基本工作原理之前，首先介绍MOS结构

及其相关特性。

因为MOS结构（也称MOS二极管）是学习MOS场效应器件的基础，亦是

研究半导体表面特性最有用的器件之一，而且在集成电路中还可作为储

存电容器和电荷耦合器件（CCD）的基本组成部分。

3

主要内容

1.MOS结构与基本性质

2.MOS场效应晶体管的工作原理与基本特性

3.小结

44

1.MOS结构与基本性质

5

理想MOS结构与基本性质

MOS结构指金属-氧化物-半导体结构。

半导体作衬底，我们主要考虑P型硅，并且假定其掺杂浓度均匀；氧化物用

SiO；金属作栅极材料。

2

在P型Si衬底上生成SiO，在氧化膜的上面覆盖一层金属栅极。

2

栅极和半导体之间可以加上一定的栅极电压，以产生一个与半导体表面垂

直的电场。

为便于讨论，我们规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬底为正，

称为正向偏置电压；反之则为反向偏置电压。

MOS二极管的结构如下图所示，其中a为透视图，b为剖面图。

6

MOS二极管结构(a)透视图(b)剖面图

7

理想MOS结构及基本性质

1.理想MOS二极管的定义与能带

下图为U=0时理想P型半导体MOS二极管的能带图。

G

功函数是指每一种材料从它的费米能级与真空能级之间的能量差，

即金属的功函数为qφ，半导体的功函数为qφ。

m