半导体物理与器件第2章PN结机理与特性.pdfVIP

《半导体物理与器件》

第二章PN结机理与特性

主讲人：吴甲民

邮箱：jiaminwu@hust.edu.cn

东八楼旁快速制造中心203室

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主要内容

1.平衡PN结的机理与特性

2.正向PN结的机理与特性

3.小结

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什么是PN结？

采用不同的掺杂工艺，使半导体的一部分成为P型区，

另一部分成为N型区，在P型区和N型区的交界面处就

形成了PN结。

PN结不仅是二极管、晶体管及其他结型半导体器件的

最基本单元和最基本的组成部分，而且也是所有半导

体器件的理论基础。

所谓平衡PN结，是指PN结的两端没有外加偏压情况下

的PN结。

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1.平衡PN结的机理与特性

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PN结的制备与杂质分布

制备PN结最典型的工艺方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延

生长法。

在N型（或P型）半导体单晶片衬底上，分别采用不同的掺杂方法，

使原来半导体的一部分变成P型（或N型）半导体，而另一部分则是原

来的N型（或P型）半导体，那么在P型半导体和N型半导体的交界面处

就形成了PN结。

PN结的基本结构示意图5

PN结的制备与杂质分布

合金结形成过程

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PN结的制备与杂质分布

1.合金法及其杂质分布

合金法制备PN结的基本过程如图所示，首先在N型锗单

晶片上放置一粒铟（In）球，升温逐渐加热到500~600℃，

形成铟锗共熔体。然后再逐渐降温，在降温过程中，锗

便从共熔体中析出，沿着锗片的晶向再结晶，在再结晶

的锗区域中，将含有大量的P型杂质铟，使该区域变成

了P型锗，从而形成了PN结。

由于这种PN结是用合金法制备的，所以称为合金结。

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PN结的制备与杂质分布

合金结的杂质分布如图所示。

其特点是：若衬底N型区中的施主杂质浓度

为ND，且均匀分布，P区中受主杂质浓度为

NA，均匀分布，在交界面处，杂质浓度由

NA（P型）突变为ND(N型)，我们把具有这

种杂质分布的PN结称为突变结。

设PN结的位置在x=X处（X为P型区的结

jj

深），则突变结的杂质分布可以表示为

合金结的杂质分布

xXN(x)N

jA

xXjN(x)ND8

PN结的制备与杂质分布

实际的突变结中两边的杂质浓度往往相

差很大。

若控制N区的施主杂质浓度ND为

1013~1015cm-3，则