热增强型150W LDMOS射频功率放大器数据手册.pdfVIP

PTFA081501E/1

热增强型高功率射频LDMOSFET150W，864–900MHz

描述

PTFA081501E/1是一款设计用于864至900MHz频段的超线性PTFA081501E/1封装

CDMA和CDMA2000功率放大器应用的150瓦LDMOSFET。其特点H‑36248‑2

包括输入和输出匹配，以及具有插槽法兰的热增强型封装。该器件采用

英飞凌先进的LDMOS工艺制造，卓越的热性能和可靠性。

IS‑95CDMA性能特性

VDD=28V，IDQ=950mA，ƒ=900MHz

•热增强型封装，无铅且符合RoHS

TCASE=25°C•宽带匹配

-30

TCASE=90°C•典型CDMA2000性能，900MHz，28V‑平均输

)

40-40c出功率=35W‑线性增益=18dB‑效率=31%‑相

B

)