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掺镓氧化锌柔性薄膜晶体管工艺的优化与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的迅猛发展，电子设备正朝着小型化、轻量化、可穿戴和柔性化的方向大步迈进，柔性电子技术应运而生并迅速崛起，成为当今电子领域中最具活力和发展潜力的研究方向之一。柔性电子技术旨在将有机或无机材料电子器件制作在柔性或可延性的塑料、薄金属基板等之上，赋予电子器件柔软、可弯曲、质轻、透明等特性，极大地拓展了电子器件的应用场景和适用范围。

在众多柔性电子器件中，薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）作为核心组件，发挥着至关重要的作用。它是一种场效应晶体管，通过在绝缘衬底上沉积半导体、绝缘层和金属