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GaN基激光器：p型技术与器件结构的协同创新研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电子领域不断发展的进程中，GaN基激光器凭借其卓越特性与广泛应用前景，成为了研究的焦点，占据着举足轻重的地位。作为第三代半导体材料的杰出代表，GaN基材料的带隙可在0.7-6.2eV范围内连续调节，这一特性使其发光波段能够覆盖从红外到深紫外的广阔区域，为众多光电器件的发展提供了坚实基础。

从实际应用来看，GaN基激光器在诸多领域都展现出了巨大的优势和潜力。在信息存储领域，蓝紫光GaN基激光器应用于激光光盘储存器，极大地提升了光盘的储存密度，满足了人们对海量数据存储的需求；在显示领域，蓝光、绿光GaN基激光器相较于传统的LED，具有亮度高、光源效率高和体积小等显著优点，被广泛应用于激光照明与激光显示领域，如海信公司在2018年美国CES展上发布的多种规格的激光电视，以及2019年春晚深圳会场采用的ALPD激光投影机，都展示了GaN基激光器在显示领域的出色表现，引领了未来显示技术的发展方向；在医疗领域，GaN基激光器可用于激光手术、医疗检测等，其高能量密度和精确的光束控制能力，为疾病的诊断和治疗提供了新的手段；在通信领域，GaN基激光器有望实现高速、大容量的光通信，满足日益增长的信息传输需求，推动通信技术向更高水平发展。

然而，目前GaN基激光器在性能提升方面仍面临诸多挑战，其中p型技术和器件结构成为了关键因素，对其性能的提升起着决定性作用。在p型技术方面，实现高效的p型掺杂是一个亟待解决的难题。通常情况下，p型GaN使用Mg作为掺杂剂，但Mg在GaN中极易形成Mg-H络合物，这种络合物难以激活，需要较高的电离能来实现受主杂质的激活。这就导致在气相沉积法生长p型GaN时，需要较高的生长温度，并且在外延生长后还需进行高温退火处理。但对于GaN基蓝绿光量子阱激光器而言，其有源区主要由InGaN材料构成，而InGaN材料在高温环境下不稳定，容易发生热退化现象。这使得高温生长高质量p型GaN的条件与保持有源区良好性能的需求产生了矛盾，若生长p型GaN的温度过高，虽然可以提高p型质量，但会严重损害量子阱结构的性能，进而导致激光器性能恶化。

在器件结构方面，当前的结构设计也存在一些不利于激光器性能提升的因素。例如，传统的器件结构可能导致有源区质量不佳，无法充分发挥GaN基材料的优势；衬底模式泄露问题会降低激光器的效率，影响其输出性能；载流子复合效率低则限制了激光器的发光效率，无法满足高功率、高效率的应用需求。此外，器件结构还对激光器的散热性能、稳定性等方面产生重要影响，不合理的结构设计会导致激光器在工作过程中产生过多的热量，从而影响其寿命和可靠性。

因此，深入研究GaN基激光器的p型技术和器件结构，对于解决上述问题，提升激光器的性能具有至关重要的意义。通过优化p型技术，可以提高p型掺杂的效率和质量，降低对有源区的热影响，从而实现高质量的p型GaN生长，为激光器提供良好的空穴注入条件。而合理设计器件结构，则可以改善有源区的性能，减少衬底模式泄露，提高载流子复合效率，增强激光器的散热能力和稳定性。这不仅有助于推动GaN基激光器在现有应用领域的进一步发展，提高相关产品的性能和竞争力，还将为其开拓新的应用领域奠定基础，如在自动驾驶、量子通信等新兴领域的应用，为光电子产业的发展注入新的活力。

1.2国内外研究现状

近年来，国内外在GaN基激光器p型技术和器件结构方面展开了广泛而深入的研究，取得了一系列具有重要价值的进展。

在p型技术研究方面，国内众多科研团队积极探索，取得了显著成果。中科院苏州纳米所刘建平课题组通过采用在薄层（20-30nm）的p-InGaN/p+-GaN接触层上沉积Ni/Pd金属的方法，成功获得了低阻的p型欧姆接触。他们深入研究了表面预处理和退火温度对接触的影响，发现最佳退火温度为550℃，当温度高于该温度时，薄层电阻会增大。与单一的Ni接触层相比，含Pd金属体系的比接触电阻率降低了约35%，采用p-InGaN/p+-GaN复合接触层结构的比接触电阻率比单一的p+-GaN接触层的比接触电阻率降低了一到两个数量级。此外，他们还研究了比接触电阻率与电流密度的关系，在接近激光器正常工作电流密度下，测得比接触电阻率最小为ρc=4.9x10-5Ω?cm2@J=3.4kA/cm2。这一研究成果为改善p型欧姆接触提供了新的思路和方法，对GaN基器件，特别是GaN基激光器具有重要的实用价值。