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- 2026-01-30 发布于广东
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中国市场研究报告
中国市场研究报告
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CMOS图像传感器是一种将光信号转换为电信号的半导体成像器件,基于CMOS工艺制程,通过像素阵列中的光电二极管接收光线并产生电荷,再经信号放大、模数转换等电路处理形成数字图像信号,具备小型化、低功耗、高集成度、成本可控等特点,是手机、汽车、安防、工业、医疗等领域视觉成像系统的核心元器件;本报告统计范围涵盖不同技术架构的产品类型,包括前照式(FSI)、背照式(BSI)、堆栈式(Stacked,含StackedBSI)CMOS图像传感器,统计范畴包含裸芯片、封装后的传感器芯片及集成光学组件的模组,不包含独立的光学镜头、图像信号处理芯片(ISP)等配套元器件。
根据QYResearch最新调研报告显示,预计2032年中国CMOS图像传感器市场规模将达到136亿美元,未来几年年复合增长率CAGR为1.5%。
图.CMOS图像传感器,中国市场总体规模
来源:QYResearch电子及半导体研究中心
图.中国CMOS图像传感器市场前11强生产商排名及市场占有率(基于2025年调研数据;目前最新数据以本公司最新调研数据为准)
来源:QYResearch电子及半导体研究中心。行业处于不断变动之中,最新数据请联系QYResearch咨询。
中国范围内,CMOS图像传感器主要生产商包括SONY、Samsung、豪威科技、格科微、思特威等,其中前三大厂商占有大约72.31%的市场份额。
图.CMOS图像传感器,中国市场规模,按产品类型细分,背照式处于主导地位
来源:QYResearch电子及半导体研究中心
就产品类型而言,目前背照式是最主要的细分产品,占据大约68.7%的份额。
图.CMOS图像传感器,中国市场规模,按应用细分,手机是最大的下游市场,占有72.3%份额。
来源:QYResearch电子及半导体研究中心
就产品类型而言,目前手机是最主要的需求来源,占据大约72.3%的份额。
图.中国CMOS图像传感器产量、市场需求量及发展趋势(百万颗)
来源:QYResearch电子及半导体研究中心
主要驱动因素:
CMOS图像传感器行业发展分析---驱动因素
驱动因素
描述
1
智能手机影像能力持续升级
多摄普及、主摄高像素化、长焦/超广/微距等子摄常态化,以及夜景、视频、防抖等算法带来的更高帧率/更大动态范围需求,持续抬升单机CMOS用量与规格(堆栈式、全像素对焦、低噪声等)。
2
汽车“摄像头替代/补充”趋势强化
ADAS向L2+/L3渗透、环视/泊车/舱内监控(DMS/OMS)上量,推动车规级CIS(高温可靠性、低照度、HDR、抗闪烁)需求快速增长,且单车摄像头数量长期上行。
3
安防从“看得见”到“看得清+看得懂”
城市治理、园区与工业园安防升级叠加AI边缘计算普及,推动更高分辨率、更强宽动态与低照度的CIS需求;同时双目/多目、全景拼接等提升传感器数量与规格。
4
工业机器视觉与自动化改造加速
3C/汽车零部件/锂电/光伏等制造环节的检测、定位、读码、计量需求增长,带动高速全局快门(GlobalShutter)、高帧率、低延迟CIS放量;“柔性产线+追溯”提高机器视觉渗透率。
资料来源:第三方资料、新闻报道、业内专家采访及QYResearch整理研究,2026年
主要阻碍因素:
CMOS图像传感器行业发展分析---阻碍因素
驱动因素
描述
1
下游需求周期波动与结构性下滑风险
手机等消费电子仍是CIS最大单一需求来源之一,但换机周期拉长、整机出货波动、库存去化节奏变化,会直接传导到CIS备货与价格,导致行业景气度强周期性;同时多摄渗透趋于饱和,新增颗数红利边际减弱。
2
高端技术门槛高,先进制程与工艺平台受限
高端CIS(如高像素小像元、堆叠式、全局快门、低噪声HDR、车规高温低暗电流等)高度依赖先进制程、深硅通孔/混合键合、背照工艺、先进像素器件结构等,研发迭代快、试错成本高;技术路线落后会导致产品代差与客户导入失败。
3
产线资本开支大、折旧压力重,扩产与利用率错配风险高
CIS属于重资产制造,关键环节(晶圆制造、封装测试、微透镜/彩色滤光片等)投资强度高;一旦行业下行或客户订单波动,产能利用率下滑会迅速侵蚀利润,形成“扩产—降价—亏损”的压力链条。
4
车载等高毛利市场导入周期长、认证严苛
车载CIS要通过AEC-Q、IATF等体系与整车/一级供应商验证,导入周期长、PPAP/可靠性测试要求高;若缺乏长期供货能力、质量一致性与失效率数据积累,难以进入核心平台,限制高端结构升级速度。
资料来源:第三方资料、新闻报道、业内专家采访及QYResearch整理研
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