CN115472673A 一种具有三栅结构的自钳位igbt及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115472673A(43)申请公布日2022.12.13

(21)申请号202211168951.0

(22)申请日2022.09.25

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新西区西源

大道2006号

(72)发明人张金平黄云翔李小锋张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

专利代理师孙一峰

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

H01L29/739(2006.01)

H01L21/28(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

权利要求书3页说明书7页附图17页

(54)发明名称

一种具有三栅结构的自钳位IGBT及其制作方法

(57)摘要

CN115472673A本发明属于功率半导体器件技术领域，具体的说是涉及一种具有三栅结构的自钳位IGBT及其制作方法。本发明利用浮空P区(14)的电位，为分离栅(11)提供偏置电位，由此形成沟槽下方的电子积累能力，增强了电导调制效应，从而