Xiamen Jishun Xinwei 腐蚀工艺 半导体工艺 1050℃湿氧工艺 900℃氢氧合成工艺 20 1BOE 6 1BOE 10500Å 500Å 用户手册.pdf

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2018NO.6(上)中国新技术新产品

工业技术

离子注入后氧化层BOE腐蚀工艺优化

商亚峰

(厦门吉顺芯微电子有限公司,福建厦门361000)

摘 要:半导体器件制备过程中,SiO2牺牲氧化层经常作为离子

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