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SiCMOSFET：从原理、特性到多元应用与未来展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今的电力电子领域，随着科技的飞速发展和能源需求的不断增长，对功率半导体器件的性能提出了越来越高的要求。传统的硅基功率半导体器件，由于其材料本身的物理特性限制，在面对高压、高温、高频以及高效率等应用场景时，逐渐显得力不从心。而碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为第三代半导体器件的杰出代表，凭借其卓越的性能优势，成为了推动电力电子技术发展的关键力量，在众多领域展现出了巨大的应用潜力。

SiCMOSFET的核心优势源于碳化硅材料独特的物理性质。与传统硅材料相比，碳化硅具有宽禁