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半导体刻蚀设备工程师岗位招聘考试试卷及答案

半导体刻蚀设备工程师岗位招聘考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分，共10分）

1.刻蚀按原理分为______刻蚀和干法刻蚀两大类。

2.干法刻蚀中最常用的等离子体源类型之一是______耦合等离子体（ICP）。

3.湿法刻蚀通常具有______（各向同性/各向异性）的刻蚀特性。

4.刻蚀工艺中，用于保护未刻蚀区域的薄膜称为______。

5.反应离子刻蚀（RIE）结合了______和化学刻蚀的双重作用。

6.深反应离子刻蚀（DRIE）常用的工艺是______工艺（交替钝化与刻蚀）。

7.刻蚀速率的常用单位是______（如nm/min）。

8.等离子体中产生的______物种（如自由基、离子）是刻蚀的主要活性成分。

9.刻蚀SiO?常用的含氟气体是______（如CF?、SF?）。

10.湿法刻蚀的核心是______与待刻蚀材料的化学反应。

二、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）

1.下列哪种刻蚀类型具有各向异性特征？

A.湿法刻蚀B.RIE刻蚀C.化学湿法刻蚀D.等离体液刻蚀

2.ICP刻蚀中，______功率主要控制等离子体密度。

A.ICP源B.偏压C.微波D.直流

3.湿法刻蚀不适合用于以下哪种场景？

A.大尺寸图形B.高深宽比结构C.低损伤要求D.低成本工艺

4.刻蚀终点检测的常用光学方法是______。

A.