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2026年综合类-半导体芯片制造工-半导体芯片制造高级工历年真题摘选带答案详解

一、单项选择题

下列各题只有一个正确答案，请选出最恰当的选项（共20题）

1、在半导体芯片制造中，光刻工艺的关键步骤是选择合适的曝光条件（温度、时间、光强或显影时间），以下哪项是决定光刻胶图形转移的主要因素？

A.光强

B.显影时间

C.曝光时间

D.温度

2、蚀刻技术分为干法和湿法，其中干法蚀刻使用等离子体与材料反应，而湿法蚀刻使用含活性物质的溶液。以下哪项是干法蚀刻常用的气体？

A.硅烷

B.含氟气体

C.氢氟酸

D.硅油

3、半导体芯片制造中，晶圆材料通常选用单晶硅还是多晶硅？

A.多晶硅

B.单晶硅

C.石墨

D.碳化硅

4、光刻胶分为正胶和负胶，其中负胶在曝光后发生交联反应，而正胶发生溶胀溶解。以下哪种场景需要使用正胶？

A.刻蚀工艺

B.蒙版对准

C.硅烷化处理

D.探针台测试

5、晶圆检测中，探针台主要用于测试哪种参数？

A.光刻胶厚度

B.离子注入浓度

C.电学性能

D.硅片平整度

6、半导体制造中，离子注入能量通常在100-200keV之间，以下哪种材料会显著影响注入深度？

A.注入离子种类

B.基材电阻率

C.注入剂量

D.离子加速电压

7、晶圆分切工艺中，金刚石线切割（DWS）相比传统线切割有何优势？

A.成本更低

B.切片速度更快

C.碎片更小

D.仅用于硅片

8、防静电措施中，以下哪种方法能有效降低设备表面电荷？

A.涂抹硅油

B.接地处理

C.屏蔽罩包裹

D.压力测试

9、干法蚀刻中，含硅烷的气体主要用于哪种工艺？

A.硅烷化处理

B.氧化层生长

C.蚕蚀刻

D.抛光

10、芯片封装材料中，以下哪种材料具有高导热性和耐高温特性？

A.环氧树脂

B.陶瓷基板

C.聚酰亚胺

D.聚碳酸酯

11、硅片制造中，作为半导体材料的主要元素，其纯度需达到多少才能满足工业需求？

A.99.999%

B.99.9%

C.99%

D.98%

12、光刻工艺中，以下哪项属于掩膜版的制作材料？

A.柔性塑料

B.硅胶

C.玻璃

D.氧化铝

13、在薄膜沉积工艺中，采用物理气相沉积（PVD）时，镀层厚度通常由哪种参数主导？

A.温度

B.气体流量

C.基底材料

D.真空度

14、半导体芯片制造中，用于检测晶圆表面机械损伤的主要设备是？

A.探针台

B.X射线衍射仪

C.分光光度计

D.电子显微镜

15、在离子注入工艺中，高能离子轰击晶格后，哪种现象可能导致材料性能劣化？

A.原子位移

B.化学键断裂

C.晶界迁移

D.表面氧化

16、半导体封装中，为防止热应力导致芯片失效，哪种材料常用于粘合层？

A.聚酰亚胺

B.氧化铝陶瓷

C.聚氨酯

D.聚碳酸酯

17、在光刻胶剥离工艺中，哪种化学试剂主要用于去除残留光刻胶？

A.硝酸

B.氢氟酸

C.丙酮

D.甲酸

18、半导体制造中，为降低接触电阻，金属互联层通常采用哪种溅镀工艺？

A.等离子溅射

B.化学气相沉积

C.真空蒸镀

D.热蒸发

19、晶圆减薄工艺中，采用化学机械抛光（CMP）时，抛光垫材料通常为？

A.氧化铝

B.碳化硅

C.氟化碳

D.石墨

20、在半导体器件测试中，用于测量晶体管阈值电压的仪器是？

A.万用表

B.逻辑分析仪

C.源极跟随器

D.脉冲电流计

二、多项选择题

下列各题有多个正确答案，请选出所有正确选项（共10题）

21、在半导体芯片制造中，以下哪些属于光刻工艺的必要步骤？（）

A.曝光

B.显影

C.蚀刻

D.清洗

22、半导体晶圆清洗常用方法不包括（）

A.硅烷化处理

B.水冲洗

C.气相氧化

D.超声波清洗

23、以下哪些是离子注入机的关键部件？（）

A.离子源

B.真空室

C.沉积反应腔

D.激光对准系统

24、半导体制造中，以下哪种材料用于制造硅片？（）

A.多晶硅

B.单晶硅

C.石墨烯

D.硅carbide

25、光刻胶的主要成分包括（）

A.聚甲基丙烯酸甲酯

B.硅微粉

C.有机溶剂

D.二氧化硅

26、在芯片制造中，以下哪些属于湿法工艺？（）

A.等离子体刻蚀

B.化学气相沉积

C.蒸镀金属层

D.水溶液腐蚀

27、半导体封装材料中，以下哪种用于散热？（）

A.环氧树脂

B.聚酰亚胺

C.磷铜合金

D.氧化铝陶瓷

28、以下哪些是芯片良率提升的关键措施？（）

A.优化光刻对准精度

B.降低设备维护成本