CN114520239A X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114520239A(43)申请公布日2022.05.20

(21)申请号202011311373.2

(22)申请日2020.11.20

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人陈江博卢尧段立业孙拓

(74)专利代理机构北京市立方律师事务所

11330

专利代理师张筱宁

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统

(57)摘要

CN114520239A本申请提供了一种X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统。X射线平板探测器包括：基底；背板层，位于基底上，包括若干薄膜晶体管，每一薄膜晶体管包括源漏极层。走线层，位于背板层远离基底一侧，包括若干连接线。感光器件层，位于走线层远离基底一侧，包括多个第一电极，每一第一电极通过一连接线与一薄膜晶体管的源漏极层，且感光器件层在基底上的正投影与背板层在基底上的正投影不重叠。本申请能够提高X射线平板探测器的填充率，进而能够提升X射线平板探测器的分辨率和探测性能；另外，连接线的设置能够进一步提升X射线平板探

CN114520239A

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1.一种X射线平板探测器，其特征在于，包括：

基底；

背板层，位于所述基底上，包括若干薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管包括源漏极层；走线层，位于所述背板层远离所述基底一侧，包括若干连接线；

感光器件层，位于所述走线层远离所述基底一侧，包括多个第一电极，每一所述第一电极通过一所述连接线与一所述薄膜晶体管的源漏极层电连接，且所述感光器件层在所述基底上的正投影与所述背板层在所述基底上的正投影不重叠。

2.根据权利要求1所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述感光器件层在所述基底上的正投影面积小于所述背板层在所述基底上的正投影面积。

3.根据权利要求2所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述背板层包括钝化层；

所述钝化层位于所述薄膜晶体管远离所述基底一侧，覆盖所述基底，且设置有若干第一过孔，以暴露出每一所述薄膜晶体管的源极或漏极；

每一所述连接线通过所述第一过孔与一所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。

4.根据权利要求2所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述走线层包括平坦层，位于所述感光器件层靠近所述基底一侧，覆盖所述连接线，且在预设位置处设置有若干贯穿该平坦层的第二过孔；

每一所述第一电极通过所述第二过孔与一所述连接线电连接。

5.根据权利要求2所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述感光器件层包括光电二极管和第二电极；

所述光电二极管位于所述第一电极远离所述基底一侧；

所述第二电极位于所述光电二极管远离所述第一电极一侧。

6.根据权利要求5所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述第一电极为条形电极，所述第二电极为面状电极；或者，

所述第一电极为条形电极，所述第二电极为条形电极，且所述第二电极在所述基底上的正投影区域覆盖所述第一电极在所述基底上的正投影区域。

7.根据权利要求1-6任一项所述的X射线平板探测器，其特征在于，还包括保护层，位于所述感光器件层远离所述基底一侧，且覆盖所述基底；

所述保护层在所述基底上的正投影面积大于所述感光器件层在所述基底上的正投影面积。

8.一种X射线平板探测装置，其特征在于，包括：多个阵列排列的如权利要求1-7任一项所述的X射线平板探测器；

相邻的所述X射线平板探测器采用拼接的方式连接，所述感光器件层靠近拼接位置处设置。

9.一种X射线成像系统，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的X射线平板探测器；或，包括如权利要求8所述的X射线平板探测装置。

10.一种X射线平板探测器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，通过构图工艺在所述基底上制作背板层，所述背板层包括薄膜晶体管和钝化层；

通过构图工艺在所述背板层远离所述基底一侧制作若干连接线，每一所述连接线通过

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贯穿所述钝化层的第一过孔与一所述薄膜晶体管的源极或漏极电连