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探索二硫化钼：非场效应结构光电器件的性能突破与应用拓展

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米科技的飞速发展，二维材料因其独特的物理和化学性质，在光电器件领域展现出巨大的应用潜力，成为了物理、化学、材料科学等诸多领域的研究重点。二硫化钼（MoS?）作为一种典型的二维层状材料，由钼原子和硫原子通过共价键结合而成，具有优异的电子、光学和机械性能，在光电器件、传感器、催化、能源等领域具有广泛应用前景，受到了科研人员的广泛关注。

传统的光电器件多基于硅基等传统半导体材料，然而，随着器件尺寸不断缩小，传统材料逐渐接近其物理极限，面临着诸如载流子迁移率降低、功耗增加等问题。二维材料的出现为解决这些问题提供了新的途径。二硫化钼具有高载流子迁移率、直接带隙（单层时）、强光-物质相互作用以及良好的化学稳定性和机械性能等特点，使其在构建高性能光电器件方面展现出独特的优势。例如，其直接带隙特性使得光吸收和发射过程更加高效，有望用于制备高灵敏度的光电探测器和高效的发光二极管；高载流子迁移率则有利于实现高速信号传输，可应用于高速光通信器件中。

此外，二硫化钼还具有与其他材料良好的兼容性，能够与多种衬底和电极材料集成，为制备复杂的光电器件结构提供了可能。通过与石墨烯、黑磷等其他二维材料复合形成异质结构，可以进一步拓展其性能，实现更多新颖的光电器件功能。因此，研究基于二硫化钼的非场效应结构光电器件，对于推动光电器件领域的发展，满足日益增长的高速、高效、小型化光电器件需求具有重要的理论意义和实际应用价值。

1.2二硫化钼概述

1.2.1基本结构与特性

二硫化钼具有三种晶体结构，分别为1T形、2H形和3R形。其中，1T-MoS?和3R-MoS?属于亚稳态，常态下可以稳定存在的是2H-MoS?，具有典型的层状结构。其晶格参数为a=0.316nm，c=1.229nm，晶体结构由S-Mo-S三层原子以垂直关系交替堆叠而成，形成类似于“三明治”的结构。每个分子层的间距约为0.65nm，在上下两个六边形结构的硫原子层之间夹着一个钼原子层。层内硫与钼原子间以强共价键结合，使得二硫化钼具有较高的结构稳定性；而层间则通过较弱的范德华力相互作用，这一特性使得二硫化钼层与层之间的分离相对容易，有利于材料在不同领域中的应用，如在润滑领域，层间的弱相互作用使其具有良好的润滑性能。

二硫化钼的诸多特性使其在光电器件应用中极具潜力。首先，它具有较高的载流子迁移率，这意味着载流子在材料中能够快速移动，有利于提高光电器件的响应速度和信号传输效率。在光电探测器中，高载流子迁移率可使光生载流子迅速被收集，从而实现快速的光响应；在晶体管等器件中，能加快电子的传输，降低器件的工作延迟。其次，二硫化钼的带隙特性十分独特。单层二硫化钼具有直接带隙，带隙宽度约为1.8eV，这使得它在光吸收和发射过程中具有较高的效率。当光照射到单层二硫化钼上时，光子能够有效地激发电子从价带跃迁到导带，产生光生载流子，这种特性使其非常适合用于光电探测和发光器件。而多层二硫化钼的带隙则转变为间接带隙，带隙宽度约为1.2eV，这种带隙的变化与层数的关系为其在不同类型光电器件中的应用提供了更多选择，例如在一些需要较低光学损耗的电子器件应用中，多层二硫化钼的间接带隙特性可能更为合适。此外，二硫化钼还具有良好的光学调制性能，能够对光信号进行有效的调制，可应用于光通信中的光调制器等器件。

1.2.2与其他二维材料对比

在二维材料家族中，除了二硫化钼，石墨烯和黑磷等也备受关注，它们各自具有独特的性能，在光电器件领域都有一定的应用潜力。与这些材料相比，二硫化钼在光电器件应用中具有一些显著的优势。

石墨烯是一种由单层碳原子紧密排列形成的二维晶体材料，具有极高的电子迁移率，在室温下其载流子迁移率可达到15000cm2/（V?s），远超过二硫化钼。然而，石墨烯的零带隙特性限制了其在某些光电器件中的应用，例如在需要精确控制电子跃迁和光发射的器件中，零带隙使得石墨烯难以实现有效的光电转换。相比之下，二硫化钼具有天然的带隙，且通过控制层数可以对带隙进行一定程度的调节，这使得它在光电器件应用中具有更广泛的适用性。在光电探测器中，二硫化钼能够利用其带隙特性有效地吸收特定波长的光，产生光生载流子，实现光信号到电信号的转换；而石墨烯由于没有带隙，对光的吸收和光电转换效率较低，在光电探测方面的应用受到一定限制。

黑磷是一种二维层状材料，具有厚度依赖的直接带隙，其禁带宽度可以从单层的0.3eV变化到块体的2eV，并且具有较高的电子迁移率（~200-1000cm2V?1s?1）和适中的开关比（~10?-10?）。与黑磷相比，二硫化钼在稳定性方面具有优势。黑磷在空气中容