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- 2026-02-04 发布于云南
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一、解码未来芯片基石:专家视角深度剖析GB/T14146-2021C-V法如何精准锚定硅外延层载流子浓度
二、标准核心精要深度解构:从术语定义到测试原理,全面掌握C-V法测量载流子浓度的理论基石与规范逻辑
三、前瞻产业变革与标准跃迁:洞察宽禁带半导体与超薄外延趋势下,C-V法测试技术面临的挑战与演进路径
四、实验室实战指南与关键疑点破解:一步步详解样品制备、仪器校准、测量步骤中的核心操作与常见陷阱规避
五、从曲线到浓度:深度解读C-V测量数据处理全流程,揭秘载流子浓度分布提取的数学模型与计算精要
六、测量不确定度的深度剖析与量化控制:系统构建硅外延层C-V法测试
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