耐腐蚀防潮高精度压力传感器芯片方案.docVIP

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  • 2026-02-04 发布于江苏
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耐腐蚀防潮高精度压力传感器芯片方案.doc

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耐腐蚀防潮高精度压力传感器芯片方案

方案目标与定位

(一)核心目标

本方案聚焦耐腐蚀防潮与高精度压力传感集成技术,攻克传统传感器在湿热、酸碱等恶劣环境下易腐蚀、受潮失效、精度衰减难题,研发规模化应用芯片,实现三大核心目标:一是突破多层防腐封装、微纳级防潮密封、传感与防护协同适配技术,测量精度达±0.02%FS,量程0-30MPa,响应时间≤4ms,耐腐蚀等级达C5-M(ISO12944),防潮等级IP68,盐雾测试耐受≥1000小时,工况运行寿命≥10年;二是优化芯片集成架构,兼顾高精度、全场景防腐防潮、小型化与抗干扰性,适配化工、海洋工程、湿热环境测控等腐蚀潮湿场景;三是构建耐腐蚀防潮传感标准化体系,兼容各类恶劣环境测控平台,替代进口高端防腐防潮传感部件,提升国产传感器核心竞争力。

(二)定位分析

1.技术定位:立足MEMS压阻式技术路线,聚焦耐腐蚀防潮核心,突破特种防腐材料集成、微密封结构设计、湿热环境精度补偿技术,形成自主知识产权体系,填补国内耐腐蚀防潮高精度压力传感器芯片技术空白。

2.市场定位:聚焦传感器制造商、化工企业、海洋工程厂商核心市场,覆盖化工介质压力监测、海洋设备液压检测、湿热环境制程控制等领域,提供防腐防潮型压力核心部件,满足恶劣环境下精度稳定与设备长效运行需求,构建高可靠产品矩阵。

3.应用定位:打造通用型防腐防潮芯片方案,适配酸碱、盐雾、湿热等多类腐蚀潮湿环境,兼容0-30MPa量程、-40℃至150℃工作温度,兼顾测量精度、防护可靠性与运维便捷性,降低恶劣环境下设备维修更换成本。

方案内容体系

(一)芯片核心设计

采用MEMS压阻传感与多层防腐防潮一体化设计,芯片尺寸≤5mm×5mm。敏感单元以N型单晶硅为基底,构建高灵敏度压阻桥结构,经离子注入与退火工艺制备,降低温漂与噪声;表面覆盖钝化防腐层,集成低噪声信号调理单元与防潮密封接口,规避湿热、腐蚀介质侵入。通过有限元仿真优化应力分布,兼顾结构强度与防腐层适配性;内置湿热环境精度补偿单元,确保全工况精度稳定,接口兼容SPI/I2C,抗干扰设计符合GB/T17626电磁兼容标准,适配各类腐蚀潮湿场景。

(二)耐腐蚀防潮架构设计

采用“压力传感单元+信号调理单元+防腐防潮单元+强化封装”一体化架构。压力传感单元为方形膜片结构(直径≤2.8mm、厚度10-12μm),表面依次覆盖SiN钝化层、聚酰亚胺防腐层,双重防护阻断腐蚀介质;防腐防潮单元含三重核心设计:特种材料防护层抵御酸碱盐侵蚀,微密封结构阻断水汽渗透,排水导流槽避免积液堆积。封装选用哈氏合金基座+蓝宝石透光窗,搭配氟橡胶密封圈,经真空密封工艺处理,防潮等级IP68,可耐受各类化工介质与海洋盐雾环境,保障测量与防护稳定性。

(三)标准化生产工艺体系

1.预处理工艺:硅芯片经超声波清洗、等离子体除氧化层,去除表面杂质;哈氏合金基座精密铣削打磨,控制表面粗糙度Ra≤0.8μm,经钝化处理提升防腐基底性能,脱脂除油后烘干备用。

2.芯片制造工艺:采用MEMS微加工工艺制备压阻桥,精准控制掺杂浓度;依次沉积SiN钝化层、聚酰亚胺防腐层,通过光刻工艺定型;集成信号调理电路与补偿单元,经350℃退火处理,消除加工应力。

3.防腐密封装配工艺:精密视觉对位系统(精度±0.0005mm)完成芯片定位,Au-Si共晶焊固定于基座;氟橡胶密封圈采用压缩密封工艺装配,真空环境下完成封装,确保防潮密封性;金丝键合处涂覆防腐灌封胶,强化电路防护。

4.封装与后处理:低功率激光焊接密封壳体,搭配蓝宝石透光窗保障压力感应;成品经100℃/1h去应力处理、盐雾试验与湿热测试,通过精度校准与密封检测,筛选不良品,确保恶劣环境下稳定运行。

(四)性能测试与行业合规验证

建立“防腐防潮性能+综合精度”双测试体系。性能测试涵盖压力精度、耐腐蚀等级、防潮等级、盐雾耐受时间、湿热环境稳定性、抗干扰性等项目,重点验证腐蚀潮湿环境下的精度保持性与防护有效性。合规验证包括计量器具型式批准认证、工业防爆认证(ExdIIBT6)、盐雾腐蚀认证(ISO9227)、化工设备合规认证,确保符合多领域恶劣环境应用标准。

实施方式与方法

(一)实施阶段划分

1.研发验证阶段(1-6个月):组建跨学科团队,完成防腐防潮芯片设计、工艺方案与材料选型;制作150-180件样品,优化防腐层参数与密封结构,验证精度、防腐防潮性能,形成落地方案。

2.中试转化阶段(7-12个月):搭建中试生产线,配置MEMS微加工设备、盐雾测试箱、湿热试验箱等,月产能达2000-3000件;联合化工企业开展实地工况适配测试,完善规格书与工艺流程。

3.规模化生产阶段(13-24个

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