CN114220767A 半导体结构及其制作方法、存储器 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114220767A

(43)申请公布日2022.03.22

(21)申请号202111391757.4

(22)申请日2021.11.23

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人邹欣伟华子群

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

代理人徐雯张颖玲

(51)Int.CI.

HO1L21/768(2006.01)

HO1L23/528(2006.01)

H01L23/532(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

半导体结构及其制作方法、存储器

CN

CN114220767A

(57)摘要

本发明提供了一种半导体结构及其制作方法、存储器。其中，所述半导体结构的制作方法包括：在绝缘层中形成多个凹槽；在所述凹槽的侧壁及所述绝缘层的顶面形成介质层；在形成有所述介质层的凹槽中以及形成有所述介质层的所述绝缘层的顶面形成互连层；通过化学机械研磨工艺，去除位于所述绝缘层的顶面上的所述互连层以及位于所述凹槽中的部分所述互连层，其中，所述绝缘层顶面上的所述介质层用于作为所述化学机械研磨工艺的停止层。

201

在绝缘层中形成多个凹槽

在所述凹槽的侧壁及所述绝缘层的顶面形成介质层

在形成有所述介质层的凹槽中以及形成有所述介质层的所述绝缘层的顶面形成互连层

通过化学机械研磨工艺，去除位于所述绝缘层的顶面上的所述互连

层以及位于所述凹槽中的部分所述互连层，其中，所述绝缘层顶面

上的所述介质层用于作为所述化学机械研磨工艺的停止层

202

CN114220767A权利要求书1/2页

2

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

在绝缘层中形成多个凹槽；

在所述凹槽的侧壁及所述绝缘层的顶面形成介质层；

在形成有所述介质层的凹槽中以及形成有所述介质层的所述绝缘层的顶面形成互连层；

通过化学机械研磨工艺，去除位于所述绝缘层的顶面上的所述互连层以及位于所述凹槽中的部分所述互连层，其中，所述绝缘层顶面上的所述介质层用于作为所述化学机械研磨工艺的停止层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：通过所述化学机械研磨工艺，去除位于所述绝缘层顶面上的所述介质层以及位于所述凹槽中的部分所述介质层和部分所述互连层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述凹槽的开口尺寸随着所述凹槽深度的增加而减小；位于所述凹槽侧壁的所述介质层的厚度随着所述凹槽深度的增加而减小。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述凹槽的侧壁及所述绝缘层的顶面形成介质层，包括：

在所述凹槽的侧壁、底部及所述绝缘层的顶面上形成介质层；

去除所述凹槽底部的所述介质层，得到位于所述凹槽侧壁及所述绝缘层的顶面上的所述介质层。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在其侧壁形成有介质层的凹槽中以及在位于所述绝缘层的顶表面上的介质层上形成阻挡层；

在所述阻挡层表面形成互连层；

所述去除位于所述绝缘层的顶面上的所述互连层，包括：

去除位于所述绝缘层的顶面上的所述互连层和位于所述绝缘层的顶面上的所述阻挡层。

6.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构由权利要求1至5中任一项所述的方法制备得到，所述半导体结构包括：

绝缘层；

位于所述绝缘层中的多个凹槽；

位于所述凹槽侧壁和绝缘层顶表面的介质层；

位于所述凹槽中的互连层；其中，位于所述绝缘层顶表面上的所述介质层与所述互连层的顶面齐平；所述绝缘层顶面上的所述介质层用于作为化学机械研磨工艺的停止层。

7.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构由权利要求1至5中任一项所述的方法制备得到，所述半导体结构包括：

绝缘层；

位于所述绝缘层中的多个凹槽；

位于所述凹槽侧壁的介质层；

位于所述凹槽中的互连层；其中，位于所述凹槽侧壁的所述介质层与所述互连层的顶

CN114220767A权利要求书2/2页

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面以及所述绝缘层的顶表面齐平；位于所述绝缘层顶面上的所述介质层用于作为化学机械研磨工艺的停止层。

8.根据