CN114220768A 互连结构的制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114220768A

(43)申请公布日2022.03.22

(21)申请号202111406798.6

(22)申请日2021.11.24

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人严孟

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

代理人徐雯张颖玲

(51)Int.CI.

HO1L21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图7页

(54)发明名称

互连结构的制作方法

(57)摘要

CN114220768A本公开实施例提供一种互连结构的制作方法，包括：依次形成覆盖基底的第一介质层、蚀刻停止层和第二介质层；在对准基底中电连接结构的位置，形成贯穿第二介质层的凹槽；其中，凹槽的底部暴露蚀刻停止层；从凹槽的底部形成贯穿蚀刻停止层和第一介质层的通孔，以显露电连接

CN114220768A

CN114220768A权利要求书1/2页

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1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：

依次形成覆盖基底的第一介质层、蚀刻停止层和第二介质层；

在对准所述基底中电连接结构的位置，形成贯穿所述第二介质层的凹槽；其中，所述凹槽的底部暴露所述蚀刻停止层；

从所述凹槽的底部形成贯穿所述蚀刻停止层和所述第一介质层的通孔，以显露所述电连接结构；

在形成所述通孔的同时，形成贯穿所述第二介质层和所述蚀刻停止层的盲孔；

在所述通孔中形成与所述电连接结构电连接的导电柱，并在所述盲孔中形成支撑柱。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一介质层包括第一子层和第二子层；所述形成覆盖基底的第一介质层，包括：形成覆盖所述基底的第一子层；形成覆盖所述第一子层的第二子层；

所述从所述凹槽的底部形成贯穿所述蚀刻停止层和所述第一介质层的通孔，以显露所述电连接结构，包括：

在所述通孔的预设形成位置，对所述凹槽的底部显露的所述蚀刻停止层进行第一蚀刻，直至显露所述第二子层；

在所述第一蚀刻后，在所述通孔的预设形成位置，对显露的所述第二子层进行第二蚀刻，直至显露所述第一子层；

在所述第二蚀刻后，在所述通孔的预设形成位置，对显露的所述第一子层进行第三蚀刻，直至显露所述电连接结构。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述从所述凹槽的底部形成贯穿所述蚀刻停止层和所述第一介质层的通孔，以显露所述电连接结构，包括：

在所述通孔的预设形成位置，对所述凹槽的底部显露的所述蚀刻停止层进行第一蚀刻，直至显露所述第一介质层；

在所述第一蚀刻后，在所述通孔的预设形成位置，对显露的所述第一介质层进行第二蚀刻，以显露所述电连接结构；

所述在形成所述通孔的同时，形成贯穿所述第二介质层和所述蚀刻停止层的盲孔，包括：

在进行所述第一蚀刻的同时，在所述盲孔的预设形成位置，蚀刻至少部分所述第二介质层；

在进行所述第二蚀刻的同时，在所述盲孔的预设形成位置，蚀刻剩余的所述第二介质层和所述蚀刻停止层；其中，所述盲孔的底部位于所述第一介质层内。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述凹槽之前，所述方法还包括：

在所述第二介质层的表面形成第一光阻层，采用第一光刻工艺图案化所述第一光阻层，并以图案化的所述第一光阻层为掩膜蚀刻所述第二介质层，以形成所述凹槽；其中，所述凹槽至少暴露出所述通孔的预设形成位置。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述凹槽之后，所述方法还包括：

在所述第二介质层以及所述凹槽的表面形成第二光阻层，采用第二光刻工艺图案化所述第二光阻层，并以图案化的所述第二光阻层为掩膜蚀刻所述蚀刻停止层和所述第一介质

CN114220768A权利要求书2/2页

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层，以形成所述通孔，同时形成所述盲孔。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述第一光阻层的成本低于所述第二光阻层的成本；

所述第一光刻工艺的成本低于所述第二光刻工艺的成本。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述第一光刻工艺的曝光光源波长范围为：350nm至365nm;

所述第二光刻工艺的曝光光源波长范围为：193nm至248nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，