CN114223067A 忆阻器及其制作方法、阻变式存储器 （深圳市汇顶科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114223067A

(43)申请公布日2022.03.22

(21)申请号202080047443.X(51)Int.CI.

(22)申请日2020.08.13HO1L45/00(2006.01)HO1L27/24(2006.01)

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2021.12.30

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2020/1089582020.08.13

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2022/032582ZH2022.02.17

(71)申请人深圳市汇顶科技股份有限公司

地址518045广东省深圳市福田保税区腾

飞工业大厦B座13层

(72)发明人胡泽望姚国峰沈健

(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205

代理人杨泽刘芳

(54)发明名称

忆阻器及其制作方法、阻变式存储器

(57)摘要

CN114223067A本申请提供一种忆阻器及其制作方法、阻变式存储器。忆阻器包括依次层叠的底电极、阻变层和顶电极，底电极和顶电极中的至少一者在其平面方向上相对阻变层向内凹陷；其中，底电极和顶电极由金属或者金属化合物制成，阻变层由阻变材料制成。本申请提供的忆阻器可减小阻变

CN114223067A