CN114334999A 三维存储器、其制作方法以及存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114334999A

(43)申请公布日2022.04.12

(21)申请号202111676832.1

(22)申请日2021.12.31

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人孙昌志高庭庭夏志良杜小龙刘小欣袁伟

(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240

代理人王晓玲

(51)Int.CI.

HO1L27/1157(2017.01)

H01L27/11582(2017.01)

H01L27/11575(2017.01)

权利要求书3页说明书10页附图9页

(54)发明名称

三维存储器、其制作方法以及存储系统

(57)摘要

CN114334996A本申请提供了一种三维存储器、其制作方法以及存储系统。该方法包括：提供衬底，衬底上具有堆叠体，在堆叠体的台阶区形成台阶结构，台阶结构远离衬底的一侧具有第一表面，各第一表面为不同牺牲层的远离衬底一侧的表面中的部分，第一表面所在的牺牲层为第一牺牲层，除去第一牺牲层之外的牺牲层为第二牺牲层；在第一表面上设置刻蚀阻挡层；在台阶区中形成顺序贯穿衬底和台阶结构至刻蚀阻挡层的伪沟道孔；在各伪沟道孔中依次形成绝缘层和导电支撑部，将第一牺牲层置换为第一控制栅结构，将第一牺牲层置换为第二控制栅结构，并使导电支撑部与第一控制栅结构电连接。上述方法避免了工艺难度

CN114334996A

提供衬底，衬底上具有堆叠体，堆叠体包括沿远离衬

底的方向多层交替层叠的牺牲层和隔离层，堆叠体包

括台阶区，在台阶区形成台阶结构，台阶结构远离衬

底的一侧具有第一表面，各第一表面为不同牺牲层的

远离衬底一侧的表面中的部分，第一表面所在的牺牲

层为第一牺牲层，除去第一牺牲层之外的牺牲层为第

二牺牲层；

在第一表面上设置刻蚀阻挡层；

在台阶区中形成顺序贯穿衬底和台阶结构至刻蚀阻挡层的伪沟道孔，伪沟道孔与刻蚀阻挡层对应设置；

在各伪沟道孔中依次形成绝缘层和导电支撑部，将第

一牺牲层置换为第一控制栅结构，将第一牺牲层置换

为第二控制栅结构，并使导电支撑部与第一控制栅结

构电连接，且导电支撑部通过绝缘层与第二控制栅结

构隔离。

CN114334999A权利要求书1/3页

2

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底上具有堆叠体，所述堆叠体包括沿远离所述衬底的方向多层交替层叠的牺牲层和隔离层，所述堆叠体包括台阶区，在所述台阶区形成台阶结构，所述台阶结构远离所述衬底的一侧具有第一表面，各所述第一表面为不同所述牺牲层的远离所述衬底一侧的表面中的部分，所述第一表面所在的牺牲层为第一牺牲层，除去所述第一牺牲层之外的所述牺牲层为第二牺牲层；

在所述第一表面上设置刻蚀阻挡层；

在台阶区中形成顺序贯穿所述衬底和所述台阶结构至所述刻蚀阻挡层的伪沟道孔，所述伪沟道孔与所述刻蚀阻挡层对应设置；

在各所述伪沟道孔中依次形成绝缘层和导电支撑部，将所述第一牺牲层置换为第一控制栅结构，将所述第一牺牲层置换为第二控制栅结构，并使所述导电支撑部与所述第一控制栅结构电连接，且所述导电支撑部通过所述绝缘层与所述第二控制栅结构隔离。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述堆叠体还包括核心区域，所述制作方法还包括以下步骤：

在所述核心区域形成贯穿至所述衬底的沟道结构。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在各所述伪沟道孔中依次形成绝缘层和导电支撑部，包括：

在各所述伪沟道孔的侧壁上形成所述绝缘层；

在各所述伪沟道孔中形成所述导电支撑部，以使所述导电支撑部与所述刻蚀阻挡层接触，且所述绝缘层包裹在所述导电支撑部的外周。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述核心区域形成贯穿至所述衬底的沟道结构之前，所述制作方法还包括：

在所述核心区域中形成贯穿至所述衬底的沟道孔；

形成覆盖所述沟道孔侧壁的第一高K介质层，

所述在所述核心区域形成贯穿至所述衬底的沟道结构之后，所述第一高K介质层位于所述沟道结构与所述沟道孔侧壁之间。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在各所述第一表面