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（2025年版）光伏电池生产加工实践指南

目的

本光伏电池生产加工实践指南旨在为初学者提供全面、详细且可直接操作的指导，使其能够顺利开展光伏电池的生产加工工作。通过遵循本指南，初学者可以了解光伏电池生产加工的基本原理、掌握关键的生产工艺和操作技能，确保生产出符合质量标准的光伏电池产品。

前置条件

知识储备

具备基本的半导体物理知识，了解半导体材料的特性、电子和空穴的概念以及PN结的形成原理。

熟悉化学基础知识，包括常见化学试剂的性质、化学反应原理以及化学实验操作规范。

了解光伏电池的基本结构和工作原理，知晓不同类型光伏电池（如单晶硅、多晶硅、薄膜光伏电池等）的特点和差异。

设备与场地

生产设备：准备硅片清洗设备、扩散炉、PECVD设备（等离子体增强化学气相沉积）、丝网印刷机、烧结炉、测试分选设备等。确保设备的规格和性能符合生产要求，并进行定期的维护和校准。

场地要求：建设符合洁净度要求的生产车间，一般要求达到千级或万级洁净标准。车间应配备通风系统、温湿度控制系统，以保证生产环境的稳定性。同时，设置专门的化学品储存区域和安全防护设施。

原材料与耗材

硅片：选择质量合格的单晶硅或多晶硅硅片，硅片的尺寸、厚度、电阻率等参数应符合生产工艺的要求。

化学试剂：准备氢氟酸、盐酸、硝酸、氢氧化钠、磷源、硼源、银浆、铝浆等化学试剂，确保试剂的纯度和质量。

其他耗材：如丝网、浆料刮刀、测试探针等，保证耗材的质量和适用性。

人员培训

对参与生产加工的人员进行专业培训，包括生产工艺、设备操作、安全规范等方面的培训。培训内容应具有针对性和实用性，确保员工能够熟练掌握生产技能和操作要点。

要求员工具备良好的责任心和安全意识，严格遵守生产操作规程和安全管理制度。

详细步骤

硅片清洗

目的：去除硅片表面的油污、杂质和氧化层，提高硅片表面的清洁度和活性，为后续的工艺步骤做好准备。

操作步骤

将硅片放入装有氢氟酸和盐酸混合溶液的清洗槽中，浸泡一定时间，以去除表面的氧化层和金属杂质。

用去离子水对硅片进行多次冲洗，确保残留的化学试剂被彻底清洗干净。

将清洗后的硅片放入氢氧化钠溶液中进行碱洗，进一步去除表面的有机物和微小颗粒。

再次用去离子水冲洗硅片，然后进行烘干处理，使硅片表面干燥。

工艺参数

氢氟酸和盐酸混合溶液的浓度和比例根据硅片的类型和污染程度进行调整，一般氢氟酸浓度为5%10%，盐酸浓度为10%20%。

浸泡时间一般为515分钟，碱洗时间为25分钟。

烘干温度控制在80120℃，烘干时间为1020分钟。

扩散制结

目的：通过扩散工艺在硅片表面形成PN结，是光伏电池实现光电转换的关键步骤。

操作步骤

将清洗后的硅片放入扩散炉中，在高温环境下通入磷源气体（如三氯氧磷），使磷原子扩散到硅片表面，形成N型半导体层。

控制扩散温度、时间和气体流量等参数，确保PN结的深度和浓度符合设计要求。

扩散结束后，对硅片进行降温处理，然后取出硅片。

工艺参数

扩散温度一般控制在800900℃，扩散时间为3060分钟。

磷源气体的流量根据扩散炉的规格和硅片数量进行调整，一般为100500sccm（标准立方厘米每分钟）。

PN结的深度控制在0.20.5μm，表面浓度控制在10^1910^20cm^-3。

刻蚀与清洗

目的：去除扩散过程中在硅片边缘形成的PN结短路通道，同时清洗硅片表面的杂质和反应产物。

操作步骤

将扩散后的硅片放入刻蚀槽中，用氢氟酸和硝酸混合溶液对硅片边缘进行刻蚀，去除边缘的N型层。

用去离子水对硅片进行多次冲洗，去除残留的化学试剂和刻蚀产物。

对硅片进行二次清洗，进一步提高硅片表面的清洁度。

工艺参数

氢氟酸和硝酸混合溶液的浓度和比例根据刻蚀要求进行调整，一般氢氟酸浓度为5%10%，硝酸浓度为20%30%。

刻蚀时间为15分钟，具体时间根据硅片的尺寸和刻蚀效果进行调整。

减反射膜制备

目的：在硅片表面沉积一层减反射膜，减少光线的反射损失，提高光伏电池的光电转换效率。

操作步骤

将刻蚀清洗后的硅片放入PECVD设备中，在真空环境下通入硅烷和氨气等气体，通过等离子体增强化学气相沉积的方法在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜。

控制沉积温度、时间、气体流量和射频功率等参数，确保减反射膜的厚度和折射率符合设计要求。

沉积结束后，对硅片进行降温处理，然后取出硅片。

工艺参数

沉积温度一般控制在350450℃，沉积时间为1020分钟。

硅烷气体流量为50200sccm，氨气气体流量为200500sccm。

射频功率根据设备的规格和硅片数量进行调整，一般为100500W。

减反射膜的厚度控制在7090nm，折射率控制在2.02.2。

丝网印刷

目的：在硅片表面印刷电极图案，用于收集和传导光伏电池产生的电流。

操作步骤

准备好丝