HBM存储芯片涨价周期分析.ppt

技术迭代驱动分析08制程演进路线图能效比优化1c工艺结合低电压设计，HBM4功耗较HBM3E降低15%，单位带宽能耗比DDR5低40%，更适合高密度计算场景。堆叠层数突破极限HBM3堆叠8层DRAM芯片，HBM4计划增至12层，通过TSV硅通孔技术实现垂直互联，容量从16GB（HBM2）提升至36GB（HBM4），满足AI大模型训练的海量数据需求。工艺节点持续微缩从HBM2的20nm级工艺发展到HBM4的10nm级1cDRAM工艺，晶体管密度提升显著，单位面积存储容量增长85%以上，直接推动单颗HBM芯片性能跃升。硅通孔直径从HBM2的5μm缩减至HBM4的1μm，通孔密度