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模拟电路期中考试试题（满分100分）

填空题（每空1分，共20分）

在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

当硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在反向电击穿状态。

无论是哪种连接方式，要使BJT有放大作用，都必须保证发射结正偏、集电结反偏。

为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好地配合，可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极组态的三极管放大电路。

在由NPN管组成的单管共射极放大电路中，当Q点太高时，将产生饱和失真，当Q点太低时，将产生截止失真。

在单级共射放大电路中，如果输入Vi为正弦波形，则输出Vo与Vi的相位关系为反相；当组态变为共集电极电路时，Vo与Vi的相位关系为同相。

某三极管处于放大状态，测得其三个引脚对地的电位分别为：UA=-5V、UB=-8V、UC=-5.2V，则该三极管对应的电极是：A为发射极、B为集电极、C为基极。该三极管属于PNP型，由锗半导体材料制成。

某三极管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过15mA；若它的工作电压UCE=1V，则工作电流IC不得超过100mA；若工作电流IC=1mA，则工作电压的极限值为30V。

跨导gm反映了场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力。

选择题（第1-10题每题1分，第11-15题每题2分，共20分）

二极管加正向电压时，其正向电流由（D）

A少数载流子扩散形成

B少数载流子漂移形成

C多数载流子漂移形成

D多数载流子扩散形成

二极管的反向饱和电流在20oC时是5μA，温度每升高10oC，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40oC时，反向饱和电流值为（C）

A10μA

B15μA

C20μA

D40μA

某NPN型三极管处于放大状态，关于它的三个电极的电位，下列说法正确的是（C）

A集电极电位一定最低

B发射极电位一定最高

C集电极电位一定最高

D基极电位一定最低

某放大电路中，三极管各电极对地的电位如下图所示，由此可判断该三极管为（B）

APNP型硅管

BPNP型锗管

CNPN型硅管

DNPN型锗管

某三极管各电极相对于地的电压如下图所示，由此可判断该三极管（D）

A处于放大状态

B处于饱和状态

C处于截止状态

D已损坏

三极管的参数受温度影响较大，当温度升高时，三极管的β，ICBO，UBE的变化情况为（B）

Aβ增加，ICBO和UBE减小

Bβ和ICBO增加，UBE减小

Cβ和UBE减小，ICBO增加

Dβ，ICBO和UBE都增加

在下图所示的电路中，T为硅管，当ui=0.2sinwtV时，则输出uo的波形为（D）

A正弦波

B半个正弦波

C矩形波

D无任何波形

对于结型场效应管（JFET），栅源极之间的PN结（C）。

A必须正偏

B必须零偏

C必须反偏

D可以任意偏置

场效应管与三极管相比，其输入电阻，噪声，温度稳定性。（B）

A高，低，差

B高，低，好

C低，高，差

D低，高，好

工作在恒流状态下的场效应管，关于其跨导gm，下列说法正确的是（D）

Agm与静态漏极电流成正比

Bgm与栅源电压的平方成正比

Cgm与漏源电压成正比

Dgm与静态漏极电流的开平方成正比

有两只稳压二极管，其稳定电压VZ分别为5.3V和6.7V，正向导通压降均为0.7V。则利用它们可以获得的电压有（D）

A1.4V

B12V

C-7.4V

D以上电压均可获得

已知下图所示放大电路中的RB=100kΩ，RC=1.5kΩ，+VCC=12V，晶体管的β=80，UBE=0.6V。则该晶体管处于（A）

A饱和状态

B放大状态

C截止状态

D状态不定

电路如下图（a）所示，输出特性曲线如下图（b）所示。则电路的直流负载线为图（b）中的（C）

AL1线

BL2线

CL3线

DL2和L3线

某场效应管的转移特性如下图所示，则该管是（C）

A增强型PMOS

B增强型NMOS

C耗尽型PMOS

D耗尽型NMOS

放大电路如下图所示，JFET的跨导为gm，RS=RD，则uo1+uo2的值为（B）

A-

B0

C2

D-

计算题（第1-3题每题6分，第4-9题每题7分，共60分）

电路如下图所示，已知vi=6sinwt（V），二极管导通电压VD=0.7V。试画出vi与vo的波形，并标出幅值。

理想二极管电路如下图所示，试判断电路中的二极管是导通还是截止，并求输出端电压uo。

uo

uo

(a)

解：（a）D1导通，D2截止，uo=0。

硅稳压管稳压电路如下图所示。其中硅稳压管DZ的稳定电压UZ=8V、动态电阻rZ可以忽略，UI=20V。试求：

UO、IO、I及IZ的