半导体超晶格能带结构下顺序隧穿输运的机制与特性研究
一、引言
1.1研究背景与意义
半导体超晶格作为一种具有独特物理性质的人造材料,自1969年由美国IBM公司的江崎(L.Esaki)和朱兆祥博士提出以来,在半导体物理领域引起了广泛关注,成为了研究热点之一。它是由两种或两种以上不同的半导体薄层交替生长而形成的周期性结构,其周期通常在纳米量级,这种特殊的结构赋予了半导体超晶格许多普通半导体材料所不具备的优异性能。
半导体超晶格的研究对于推动半导体物理的发展具有重要的理论意义。在传统的半导体材料中,电子的运动主要受到材料本身的晶体结构和能带结构的限制。而在半导体超晶格中,由于引入了人
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