基于第一性原理的宽禁带半导体In₂O₃结构与性能深度剖析.docx

基于第一性原理的宽禁带半导体In?O?结构与性能深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料作为现代电子学的基石，始终是材料科学领域的研究热点。随着对半导体材料性能要求的不断提高，宽禁带半导体因其独特的物理性质，逐渐成为了研究与应用的焦点。氧化铟（In?O?）作为一种重要的宽禁带半导体材料，以其诸多优异特性在众多领域展现出巨大的应用潜力，吸引了科研人员的广泛关注。

In?O?具有较宽的禁带宽度，通常在3.5-4.3eV之间，这一特性使其在室温下呈现出良好的绝缘性能，为其在一些需要绝缘特性的应用场景提供了基础。同时，In?O?又具备较小的电阻率，这源