半导体设备进口替代进展.ppt

离子注入设备替代08中束流设备进展国产化率突破30%产能效率提升显著2023年国内厂商在中束流离子注入机领域实现关键技术突破，主要型号设备已通过主流晶圆厂验证。能量范围扩展至200keV最新研发的中束流设备能量覆盖范围较进口设备提升15%，可满足28nm制程工艺需求。国产设备每小时晶圆处理量达到150片，较早期版本提升40%，接近国际同类产品水平。高能离子注入机全链路技术自主POWER-750H采用串列加速器设计，实现750keV高能量输出，束流传输效率达92%，能量稳定性±0.3%，核心零部件国产化率85%以上。01功率半导体适配设备专为IGBT、SiC等功率器件