CN112635547A 一种二极管及其制作方法 （江苏宏微科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112635547A

(43)申请公布日2021.04.09

(21)申请号202011554045.5

(22)申请日2020.12.24

(71)申请人江苏宏微科技股份有限公司

地址213022江苏省常州市新北区华山中

路18号

(72)发明人张景超林茂戚丽娜井亚会

(74)专利代理机构常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231

代理人刘松

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

29/06(2006.01)

29/861(2006.01)21/329(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种二极管及其制作方法

(57)摘要

CN112635547A本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种二极管及其制作方法，所述二极管包括N基体、有源区P+层和多个mos结构，N基体上形成有有源区P+层，有源区P+层内设有多个mos结构，有源区P+层上设有阳极金属，mos结构包括沟槽，沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅，沟槽外设有与阳极金属电连接的N+层，沟槽上设有绝缘介质层以隔开多晶硅和阳极金属，当二极管施加反向电压增大时，多晶硅施加开启电压，沟槽外形成导电沟道，导电沟道与二极管内的空间电荷区连接，二极管内形成反向电流。本发明提供的一种二极管，能够在一定反向电压范围内具有特定反向电流能

CN112635547A

CN112635547A权利要求书1/2页

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1.一种二极管，其特征在于，包括：

N基体(1),所述N基体(1)上形成有有源区P+层(2);

有源区P+层(2),所述有源区P+层(2)内设有多个mos结构(21),所述有源区P+层(2)上设有阳极金属(4);

多个mos结构(21),所述mos结构(21)包括沟槽(211),所述沟槽(211)内形成有栅氧化层(212)和多晶硅(213),所述沟槽(211)侧壁外设有与阳极金属(4)电连接的N+层(214),所述沟槽(211)上设有绝缘介质层(3)以隔开所述多晶硅(213)和所述阳极金属(4),当所述二极管施加反向电压增大时，所述多晶硅(213)施加开启电压，所述沟槽(211)外形成导电沟道，所述导电沟道与所述二极管内的空间电荷区连接，所述二极管内形成反向电流。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括P+场环(5),所述多晶硅(213)向沟槽(211)外延伸与所述P+场环(5)电连接，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)与所述N基体(1)和有源区P+层(2)之间设有场氧(8)。

3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述P+场环(5)为多个，所述多晶硅

(213)与一个或多个所述P+场环(5)电连接。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述多晶硅(213)向沟槽(211)外延伸，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)上设有金属层(6)与外部电路电连接，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)与所述N基体(1)和有源区P+层(2)之间设有场氧(8)。

5.根据权利要求4所述的二极管，其特征在于，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)的第一端设有所述绝缘介质层(3)与所述阳极金属(4)隔开，所述多晶硅(213)的延伸部分

(2131)的第二端设有保护层(31)包裹所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)。

6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括内部P+环结(7),所述多晶硅(213)延伸与所述内部P+环结(7)电连接，所述多晶硅(213)的延伸部分(2131)与所述N基体(1)和有源区P+层(2)之间设有场氧(8)。

7.根据权利要求6所述的二极管，其特征在于，所述有源区P+层(2)为多个，多个所述有源区P+层(2)内的多个mos结构(21)中的多晶硅(213)均延伸与所述内部P+环结(7)电连接。

8.一种二极管的制作方法，在N基体(1)上生长一层场氧(8),并刻蚀出有源区，其特征在于，包括以下步骤：

采用光刻和刻蚀工艺，光刻定义出沟槽(211)区域，进行刻蚀，形成所述沟槽(211);

采用热氧化工艺，在所述沟槽(211)表面使用热氧化生长一层氧化层，形成栅氧化层

(212);

采用淀积工艺，在所述栅氧化层(212)上淀积一层多晶硅(213),填