CN113161349B 一种集成芯片及其制作方法和集成电路 （深圳市汇芯通信技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113161349B(45)授权公告日2023.01.31

(21)申请号202010075251.1

(22)申请日2020.01.22

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113161349A

(43)申请公布日2021.07.23

H01L21/8252(2006.01)

(56)对比文件

USB1,2019.12.24

审查员沈冬云

(73)专利权人深圳市汇芯通信技术有限公司

地址518000广东省深圳市华富街道莲花

一村社区皇岗路5001号深业上城(南

区)T2栋2701

(72)发明人樊永辉樊晓兵许明伟曾学忠

(74)专利代理机构深圳市博衍知识产权代理有限公司44415

专利代理师曾新浩

(51)Int.CI.

HO1L27/06(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图14页

(54)发明名称

一种集成芯片及其制作方法和集成电路

(57)摘要

CN113161349B申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路。所述集成芯片包括相连接的氮化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器，氮化镓高电子迁移率晶体管包括衬底、外延层、栅极、源极、漏极、钝化层、第一金属层和第二金属层等，LC滤波器包括相连接的电感和电容，电感包括电感绕线和电感端口，电容包括下电极、电容介质和上电极，下电极与所述第一金属层、电感绕线通过同一道制程形成，上电极、第二金属层和电感端口通过同一道制程形成，所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合。本申请通过对氮化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器的集成减小芯片以及产品的体积，提高芯片的性能；还将晶体管和

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1.一种集成芯片，其特征在于，所述集成芯片包括相邻且连接设置的晶体管区和LC滤波器区，所述晶体管区设置有氮化镓高电子迁移率晶体管，所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括：

衬底；

外延层，设置在所述衬底的上表面，采用氮化镓系材料制成；

第一钝化层，设置在所述外延层上；

栅极、源极和漏极，设置在所述外延层的上方；

第二钝化层，设置在所述栅极、源极和漏极的上方；

第一金属层，设置在所述第二钝化层的上方，与所述源极和漏极相连；

第二金属层，与所述第一金属层连接，且设置在所述第一金属层的上方；

所述LC滤波器区包括电感区和电容区，所述电感区中设置有电感，所述电容区中设置有电容，所述电感和电容电连接，所述电感包括：

第一钝化层，设置在所述外延层上；

第二钝化层，设置在所述第一钝化层上；

电感绕线，设置在所述第二钝化层的上方；以及

电感端口，设置在所述电感绕线的上方，与所述电感绕线的端部连接；

所述电容包括：

第一钝化层，设置在所述外延层上；

第二钝化层，设置在所述第一钝化层上；

下电极，设置在所述第二钝化层的上方；

电容介质，设置在所述下电极上；以及

上电极，设置在所述电容介质的上方；

其中，所述电感绕线、所述下电极与所述第一金属层采用同一制程形成；所述电感端口、所述第二金属层和上电极通过同一道制程形成；

所述第二金属层与所述电感端口通过空气桥耦合，所述电感端口与所述上电极通过空气桥耦合。

2.如权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，所述晶体管区和LC滤波器区还包括：

金属间电介质，设置在所述第二钝化层上；

在所述氮化镓高电子迁移率晶体管中：

所述源极、漏极和栅极，贯穿所述第一钝化层，与所述外延层连接；

所述第一金属层，设置在所述源极和漏极的上方，贯穿所述第二钝化层，且分别与所述源极和漏极连接；以及

所述第二金属层，设置在所述金属间电介质的上方，贯穿所述金属间电介质，且分别与所述第一金属层连接；

在所述电感中：

所述电感端口，设置在所述金属间电介质的上方，包括电感输入电极和电感输出电极，所述电感输入电极与所述电感绕线的一端连接，所述电感输出电极与所述电感绕线的另一端连接；

CN113161349B权利要求书