CN113285349A 微环激光器阵列及其制作方法 （北京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113285349A

(43)申请公布日2021.08.20

(21)申请号202110566858.4

(22)申请日2021.05.24

(71)申请人北京邮电大学

地址100088北京市海淀区西土城路10号

(72)发明人王俊祝莉娜陈维荣杨苑青武国峰黄永清任晓敏

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人姚璐华

(51)Int.CI.

HO1SHO1SHO1S

5/10(2021.01)

5/40(2006.01)

5/00(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图10页

(54)发明名称

微环激光器阵列及其制作方法

(57)摘要

CN113285349A本发明公开了一种微环激光器阵列及其制作方法，所述微环激光器阵列包括：绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括：相对设置的第一层硅材料和第二层硅材料，以及位于两层硅材料之间的第一二氧化硅层；设置在所述绝缘体上硅上的多个激光输出单元；所述激光输出单元包括：微环腔激光器以及波导；所述微环腔激光器具有用于出射激光的有源区；所述微环腔激光器的尺寸不同，以出射不同波长的激光；所述绝缘体上硅具有多个露出第一表面的器件区；所述器件区不交叠，用于设置所述微环腔激光器，所述微环腔激光器与所述器件区一一对应；所述第二层硅材料

CN113285349A

出。

CN113285349A权利要求书1/2页

2

1.一种微环激光器阵列，其特征在于，所述微环激光器阵列包括：

绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括：相对设置的第一层硅材料和第二层硅材料，以及位于两层硅材料之间的第一二氧化硅层；

设置在所述绝缘体上硅上的多个激光输出单元；所述激光输出单元包括：微环腔激光器以及波导；所述微环腔激光器具有用于出射激光的有源区；所述微环腔激光器的尺寸不同，以出射不同波长的激光；在第一方向上，所述波导与所对应微环腔激光器的有源区相对设置；所述第一方向为所述波导的延伸方向，平行于所述第一二氧化硅层；

所述第一层硅材料朝向所述第一二氧化硅层的表面为第一表面；所述绝缘体上硅具有多个露出所述第一表面的器件区；所述器件区不交叠，用于设置所述微环腔激光器，所述微环腔激光器与所述器件区一一对应；

所述第二层硅材料包括多个相互独立的所述波导。

2.根据权利要求1所述的微环激光器阵列，其特征在于，所述微环腔激光器的几何中心位于同一直线；

所述波导位于所述直线的同一侧，且所述波导的延伸方向平行。

3.根据权利要求2所述的微环激光器阵列，其特征在于，所述微环腔激光器具有微环谐振腔，所述微环谐振腔的环宽相同，外径不同；相邻两个所述微环腔激光器的边缘间距相同。

4.根据权利要求1所述的微环激光器阵列，其特征在于，所述激光输出单元中，所述微环腔激光器与所述波导之间具有预设间隙，所述预设间隙内填充第二二氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的微环激光器阵列，其特征在于，在所述第一方向上，所述预设间隙的长度为0.1-0.3μm。

6.根据权利要求1所述的微环激光器阵列，其特征在于，所述波导包括一体的输入部分和输出部分；

同一所述激光输出单元中，所述输入部分朝向所述微环腔激光器，所述输出部分背离所述微环腔激光器，所述输入部分的宽度在所述第一方向上逐渐减小，所述第一方向由所述微环腔激光器指向所述波导。

7.根据权利要求1-6任一项所述的微环激光器阵列，其特征在于，在第二方向上，所述微环腔激光器包括在所述第一表面上依次堆叠设置的过渡层、N型欧姆接触层、下限制层、下波导层、所述有源区、上波导层、上限制层和P型欧姆接触层；

其中，所述第二方向由所述第一层硅材料指向所述第二层硅材料。

8.一种微环激光器阵列的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括：相对设置的第一层硅材料和第二层硅材料，以及位于两层硅材料之间的第一二氧化硅层；

图形化所述绝缘体上硅，将所述第二层硅材料图形化为多个波导，在所述第一二氧化硅层上形成多个露出第一表面的器件区；所述第一表面为所述第一层硅材料朝向所述第一二氧化硅层的表面；所述器件区不交叠；

在所述器件区形成多个与所述波导一一对应的微环腔激光器，所述微环腔激光器与所述器件区一一对应；

其中，所述绝缘体上硅上设置有多个激光输出单元；所述激光输出单元包括：所述微环

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