CN113161348A 一种集成芯片及其制作方法和集成电路 （深圳市汇芯通信技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113161348A

(43)申请公布日2021.07.23

(21)申请号202010075240.3

(22)申请日2020.01.22

HO1L21/8252(2006.01)

(71)申请人深圳市汇芯通信技术有限公司

地址518000广东省深圳市华富街道莲花

一村社区皇岗路5001号深业上城(南

区)T2栋2701

(72)发明人樊永辉樊晓兵许明伟曾学忠

(74)专利代理机构深圳市博衍知识产权代理有限公司44415

代理人曾新浩

(51)Int.CI.

H01L27/06(2006.01)

H01L23/64(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

权利要求书3页说明书12页附图14页

(54)发明名称

一种集成芯片及其制作方法和集成电路

(57)摘要

CN113161348A申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路。所述集成芯片包括相连接的砷化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器，砷化镓高电子迁移率晶体管包括衬底、栅极、源极、漏极、钝化层、第一金属层和第二金属层等，LC滤波器包括相连接的电感和电容，电感包括电感绕线和电感端口，电容包括下电极、电容介质和上电极，下电极与所述第一金属层、电感绕线通过同一道制程形成，上电极、第二金属层和电感端口通过同一道制程形成，所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合。本申请通过对砷化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器的集成减小芯片以及产品的体积，提高芯片的性能；还将晶体管和滤波器

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CN113161348A权利要求书1/3页

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1.一种集成芯片，其特征在于，包括相连接的砷化镓高电子迁移率晶体管和LC滤波器，所述砷化镓高电子迁移率晶体管包括：

衬底；

外延层；设置在所述衬底的上表面，采用砷化镓系材料制成；

栅极、源极和漏极，设置在所述外延层的上方；

钝化层，设置在所述栅极、源极和漏极的上方；

第一金属层，设置在所述钝化层的上方，与所述源极和漏极相连；

第二金属层，与所述第一金属层连接，且设置在所述第一金属层的上方；

所述LC滤波器包括相连接的电感和电容，所述电感包括：

电感绕线，设置在所述钝化层的上方；以及

电感端口，设置在所述电感绕线的上方，与所述电感绕线的端部连接；

所述电容包括：

下电极，设置在所述钝化层的上方；

电容介质，设置在所述下电极上；以及

上电极，设置在所述电容介质的上方；

其中，所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合；

所述电感绕线、所述下电极与所述第一金属层采用同一制成形成；所述电感端口、所述第二金属层和上电极通过同一道制程形成。

2.如权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第二金属层与所述电感端口通过金属导线相连或通过空气桥耦合，所述电感端口与所述上电极通过金属导线相连或通过空气桥耦合。

3.如权利要求2所述的一种集成芯片，其特征在于，包括相邻设置的晶体管区和LC滤波器区，所述晶体管区设置有砷化镓高电子迁移率晶体管，所述LC滤波器区设置有电感和电容，所述晶体管区和LC滤波器区包括：

第一钝化层，设置在所述外延层上；

第二钝化层，设置在所述第一钝化层；以及

金属间电介质，设置在所述第二钝化层上；

所述晶体管区还包括：

源极、漏极和栅极，贯穿所述第一钝化层，与所述外延层连接；

第一金属层，设置在所述源极和漏极的上方，贯穿所述第二钝化层，且分别与所述源极和漏极连接；以及

第二金属层，设置在所述金属间电介质的上方，贯穿所述金属间电介质，且分别与所述第一金属层连接；

所述LC滤波器区包括电感区和电容区，所述电感区还包括：

电感绕线，设置在所述第二钝化层上；以及

电感端口，设置在所述金属间电介质的上方，包括电感输入电极和电感输出电极，所述电感输入电极与所述电感绕线的一端连接，所述电感输出电极与所述电感绕线的另一端连

接；

所述电容区还包括：

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