CN112768326B 一种194nm谱线汞灯的制作装置和方法 （北京无线电计量测试研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112768326B(45)授权公告日2023.06.20

(21)申请号202011465220.3

(22)申请日2020.12.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112768326A

(43)申请公布日2021.05.07

(73)专利权人北京无线电计量测试研究所

地址100854北京市海淀区142信箱408分

箱

(72)发明人王暖让陈星赵环薛潇博张升康

(74)专利代理机构北京正理专利代理有限公司11257

专利代理师毛唯鸣

(51)Int.CI.

H01J9/00(2006.01)

(56)对比文件

CN106647224A,2017.05.10

CN109683641A,2019.04.26

GB1400644A,1975.07.23

JP2008103159A,2008.05.01

US2009016064A1,2009.01.15

诸定昌，顾峰，王雪虎.35W小功率金卤灯的关键工艺探讨.灯与照明.1998,(第01期),6-7.

王暖让，陈星，赵环，葛军.汞离子微波频标汞光谱灯设计.宇航计测技术.2020,第40卷(第3期),27-30.

审查员张自童

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种194nm谱线汞灯的制作装置和方法

(57)摘要

CN112768326B本发明的一个实施例公开了一种194nm谱线汞灯的制作装置和方法，所述装置包括：充制平台、第一到第四管道、气瓶、针阀、汞同位素泡壳、射频激励模块、三维调整架、第一烤箱、泵、压力表和加热带；第一管道设在充制平台内部；气瓶充有工作气体；针阀安装在第一管道的第一端口；第二管道的第一端口与第一管道的第二端口连通；第三管道的第一端口与第二管道的第二端口连通；第四管道的第一端口与第三管道的第三端口连通；汞同位素泡壳安装在第四管道的第二端口；射频激励模块安装在三维调整架上；三维调整架放置在充制平台上；第一烤箱设在充制平台上；泵与第一管道的第三端口相连；压力表设

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CN112768326B权利要求书1/2页

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1.一种194nm谱线汞灯的制作装置，其特征在于，所述装置包括：

充制平台、第一到第四管道、气瓶、针阀、汞同位素泡壳、射频激励模块、三维调整架、第一烤箱、泵、压力表和加热带；

其中，

所述第一管道由不锈钢制成，设置在充制平台内部；

所述气瓶充有制作194nm谱线汞灯所需的工作气体；

所述针阀安装在所述第一管道的第一端口，用于控制气瓶中的工作气体进入第一管道的第一端口；

所述第二管道设置在充制平台上，所述第二管道的第一端口与第一管道的第二端口气体连通，所述第二管道由玻璃材料制成；

所述第三管道的第一端口与第二管道的第二端口气体连通，该第三管道由玻璃材料制成；

待制作的汞灯发光泡壳安装在所述第三管道的第二端口；

所述第四管道的第一端口与第三管道的第三端口气体连通，该第四管道由玻璃材料制成；

所述汞同位素泡壳，安装在第四管道的第二端口；其中，该汞同位素泡壳由制冷片包裹，该汞同位素泡壳在其内部装有液体汞；

所述射频激励模块安装在所述三维调整架上；

所述三维调整架放置在所述充制平台上，用于调整射频激励模块与汞灯发光泡壳的相对位置关系；

所述第一烤箱设置在所述充制平台上，所述第一烤箱能够升降，用于对第二管道、第三管道、第四管道和汞灯发光泡壳进行加热烘烤；

所述泵通过阀门与所述第一管道的第三端口相连，用于维持充制平台各个管道内部的真空；

所述压力表设置在所述第一管道的第四端口，用于显示气瓶中的工作气体充入汞灯发光泡壳的气压；

所述加热带设置于所述充制平台第一管道的外壁上，用于对第一管道进行加热烘烤。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述工作气体为Ar与CH?混合气体。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述泵包括真空泵组和离子泵，真空泵组包括干泵和分子泵。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热带通过通电进行加热。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述射频激励模块中包含有激励电路；其中，激励电路包括激励线圈，所述激励线圈能够根据实际需要调整线圈的圈数。

6.根据