纳米材料表征测试工程师岗位招聘考试试卷及答案.docVIP

纳米材料表征测试工程师岗位招聘考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.透射电子显微镜的英文缩写是______。

2.X射线衍射（XRD）主要用于分析纳米材料的______。

3.BET法常用于测定纳米材料的______。

4.动态光散射（DLS）可测量纳米颗粒在溶液中的______半径。

5.X射线光电子能谱（XPS）的核心原理是______效应。

6.扫描电子显微镜（SEM）的典型加速电压范围是______kV。

7.通常定义纳米材料的尺寸范围是______nm。

8.原子力显微镜（AFM）的常见工作模式包括接触模式、非接触模式和______模式。

9.拉曼光谱中激光波长的常用单位是______。

10.纳米颗粒分散常用的表面活性剂有______（举1例）。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.可直接观察纳米颗粒晶格条纹的表征方法是？

A.SEMB.TEMC.XRDD.BET

2.Bragg方程中，d表示什么？

A.晶面间距B.晶粒尺寸C.衍射角D.波长

3.BET法测比表面积的常用吸附质是？

A.氧气B.氮气C.氢气D.二氧化碳

4.XPS深度profiling采用的技术是？

A.离子溅射B.电子束扫描C.激光激发D.热解吸

5.DLS适合测量的粒径范围是？

A.0.1-1000nmB.1-100nmC.10-1000nmD.0.01-100nm

6.TEM的典型分辨率可达？

A.0.1nmB.1nmC.10nmD.100nm

7.AFM接触模式的主要缺点是？

A.分辨率低B.易损伤样品C.需真空D.无法测液体样品

8.拉曼光谱信号来源于分子的？

A.振动能级跃迁B.电子能级跃迁C.转动跃迁D.自旋跃迁

9.非导电样品SEM表征前需做的处理是？

A.镀金/碳B.超声分散C.真空干燥D.研磨

10.可分析表面元素价态的表征是？

A.EDSB.XRDC.XPSD.BET

三、多项选择题（共10题，每题2分）

1.TEM可分析纳米材料的哪些参数？

A.形貌B.晶型C.元素分布D.比表面积

2.XRD可获取的信息包括？

A.晶胞参数B.物相组成C.晶粒尺寸D.表面价态

3.BET法测比表面积的必要条件是？

A.液氮温度（77K）B.氮气吸附C.真空环境D.样品导电

4.XPS样品制备要求是？

A.无挥发性B.导电性良好C.表面平整D.无氧化

5.影响DLS测量的因素有？

A.颗粒浓度B.分散剂种类C.温度D.激光功率

6.SEM操作注意事项是？

A.样品真空干燥B.非导电样品镀膜C.加速电压越高越好D.避免污染

7.AFM的工作模式有？

A.接触模式B.非接触模式C.轻敲模式D.扫描隧道模式

8.拉曼光谱可表征的纳米材料是？

A.碳纳米管B.石墨烯C.量子点D.金属纳米颗粒

9.纳米材料表征前处理方法是？

A.超声分散B.真空干燥C.样品固定D.高温烧结

10.可测纳米粒径的方法是？

A.DLSB.TEMC.激光粒度仪D.BET

四、判断题（共10题，每题2分）

1.TEM只能观察形貌，无法分析晶型。（）

2.XRD可定量分析纳米材料物相。（）

3.BET法吸附质为氧气。（）

4.DLS测的是流体力学半径，非干态粒径。（）

5.XPS可分析除H、He外的所有元素。（）

6.SEM放大倍数越高，分辨率一定越高。（）

7.AFM可在空气/液体中工作，无需真空。（）

8.拉曼与红外光谱互补，共同分析分子振动。（）

9.纳米材料尺寸必须严格小于100nm。（）

10.BET比表面积计算用Langmuir模型。（）

五、简答题（共4题，每题5分）

1.简述TEM与SEM表征纳米形貌的区别。

2.如何用XRD计算纳米晶粒平均尺寸？

3.XPS样品制备的关键注意事项？

4.简述BET法测比表面积的原理。

六、讨论题（共2题，每题5分）

1.纳米颗粒溶液团聚时，如何选择表征方法及前处理？

2.对比XPS与EDS在元素分析上的差异及适用场景。

---

答案部分

一、填空题答案

1.TEM2.晶型/物相3.比表面积4.流体力学5.光电离6.5-307.1-1008.轻敲9.nm10.SDS（或PVP等）

二、单项选择题答案

1.B2.A3.C4.A5.A6.A7.B8.A9.A10.C

三、多项选择题答案

1.ABC2.ABC3.ABC4.ABC5.ABCD6.ABD7.ABC8.ABCD9.ABC10.ABC

四、判断题答案

1.×2.√3.×4.√5.√6.×7.√8.√9.×10.×

五、简答题答案

1.TEM为透射式，需薄样品（100nm），可观察晶格条纹/原子排列，分辨率更高；SEM为扫描式，样品厚度无严格限制，三维形貌景深大，非导电样品可镀膜。

2.用Scherrer公式：\(D=Kλ/(βcosθ)\)，D为晶粒尺寸