忆阻器模型的构建及数字逻辑电路设计
摘要
在数字电子技术中,晶体管自问世以来一直充当着重要的角色。然而随着人们对读写速度的要求进一步提高,传统晶体管功耗大、体积大、集成度不够高的问题逐渐暴露。为了延续摩尔定律,人们提出寻找更适配的器件。在50年前,蔡教授提出忆阻器的概念,直到2008年,惠普实验室成功研发忆阻器的物理模型。作为新一代无源两端器件,忆阻器具有的非易失性、多种阻态性等等,使其能够实现存算一体化,同时可以设计新的逻辑电路。除此之外,其本身为纳米级器件,体积较小,能够有效提升芯片的集成度。本文主要研究学习有关忆阻器的模型及其逻辑电路,具体内容如下:
(一)基于忆阻器基本理论,
您可能关注的文档
- 2026《一种电动式新型铝锭码垛机械手设计》17000字.docx
- 2026《一种可工作于中高频环境的单相T型三电平并网逆变器设计》21000字.docx
- 2026《一种新型的高性能迟滞比较器设计》10000字.docx
- 2026《一种纸箱自动装卸机械手设计》17000字.docx
- 2026《鱼山岛重型装备码头结构设计》15000字.docx
- 2026《羽毛球自动发球机的结构设计》11000字.doc
- 2026《载重自卸汽车液压举升结构设计》14000字.docx
- 2026《注CO2井井筒压力分布研究》12000字.docx
- GB/T 4937.37-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分:采用加速度计的板级跌落试验方法.pdf
- 中国国家标准 GB/T 46887-2025数字化供应链 体系架构.pdf
- 中国国家标准 GB/Z 37551.300-2026海洋能 波浪能、潮流能及其他水流能转换装置 第300部分:河流能转换装置发电性能评估.pdf
- GB/T 44937.3-2025集成电路 电磁发射测量 第3部分:辐射发射测量 表面扫描法.pdf
- 中国国家标准 GB/T 44937.3-2025集成电路 电磁发射测量 第3部分:辐射发射测量 表面扫描法.pdf
- 《GB/T 44937.3-2025集成电路 电磁发射测量 第3部分:辐射发射测量 表面扫描法》.pdf
- 中国国家标准 GB/T 44937.1-2025集成电路 电磁发射测量 第1部分:通用条件和定义.pdf
- GB/T 44937.1-2025集成电路 电磁发射测量 第1部分:通用条件和定义.pdf
- 《GB/T 44937.1-2025集成电路 电磁发射测量 第1部分:通用条件和定义》.pdf
- 中国国家标准 GB/T 4937.37-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分:采用加速度计的板级跌落试验方法.pdf
- 《GB/T 4937.10-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第10部分:机械冲击 器件和组件》.pdf
- 中国国家标准 GB/T 44937.2-2025集成电路 电磁发射测量 第2部分:辐射发射测量TEM小室和宽带TEM小室法.pdf
原创力文档

文档评论(0)