Ⅲ族氮化物半导体材料极性的测定 透射电子显微镜法标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《Ⅲ族氮化物半导体材料极性的测定透射电子显微镜法》标准立项与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardizationProject:“DeterminationofPolarityforGroup-IIINitrideSemiconductorMaterials—TransmissionElectronMicroscopyMethod”

摘要

本报告旨在系统阐述《Ⅲ族氮化物半导体材料极性的测定透射电子显微镜法》国家/行业标准立项的背景、目的、核心内容及其对产业发展的战略意义。第三代半导体，特别是氮化镓（GaN）基材料与器件，是支撑新一代信息技术、能源电子与国防科技的关键基石。材料极性作为决定其晶体质量、能带结构、极化电场及最终器件性能的根本性结构参数，其准确、统一的表征至关重要。然而，长期以来，行业内缺乏一种权威、普适且高精度的极性测定标准方法。本标准的立项，正是为了填补这一技术空白。报告详细分析了在当前国际竞争与国内政策强力驱动下，GaN产业高速发展对标准化工作的迫切需求。报告指出，本标准的核心技术内容基于成熟的高分辨扫描透射电子显微镜技术，明确了其适用范围、样品制备规范、成像模式（如高角环形暗场像）及极性判定图谱，为科研与生产提供了可靠的技术依据。本标准的制定与实施，将有效统一测试流程，提升数据可比性与公信力，加速材料研发迭代，保障器件性能与可靠性，对我国第三代半导体产业链的自主可控与高质量发展具有重要的推动作用。

关键词：

Ⅲ族氮化物；氮化镓；材料极性；透射电子显微镜；标准化；表征测试；第三代半导体

Group-IIINitrides;GalliumNitride;MaterialPolarity;TransmissionElectronMicroscopy;Standardization;Characterization;Third-GenerationSemiconductors

正文

一、立项背景与战略意义

半导体产业是现代信息技术产业的基石，其技术水平和产业能力是国家综合实力的重要体现。当前，全球半导体产业格局深刻调整，供应链安全面临挑战。在此背景下，发展具有自主知识产权、性能优异的第三代半导体（宽禁带半导体）已成为我国突破技术封锁、实现产业升级的国家战略选择。

自“十三五”规划起，我国便将半导体领域的发展提升至国家战略高度。“十四五”期间，一系列围绕第三代半导体的扶持政策密集出台，为产业发展指明了方向。例如，2023年1月，工业和信息化部等六部门联合发布的《关于推动能源电子产业发展的指导意见》中，在“能源电子关键信息技术产品供给能力提升行动”专栏明确支持第三代半导体产业。2024年1月，工业和信息化部等七部门在《关于推动未来产业创新发展的实施意见》的“创新标志性产品”专栏中再次强调了对第三代半导体的支持。这些顶层设计为相关技术研发和标准制定提供了强有力的政策保障。

在第三代半导体家族中，以氮化镓（GaN）为代表的Ⅲ族氮化物半导体占据核心地位。其器件主要涵盖光电子器件（如LED、激光器LD）、功率电子器件和射频器件（如HEMT），广泛应用于固态照明、新型显示、快速充电、新能源汽车、5G/6G通信、雷达及国防军工等关键领域。行业数据显示，GaN产业正处在高速增长期。根据第三代半导体产业技术创新联盟（CASA）发布的《第三代半导体产业发展报告2023》，GaN功率电子正从消费类快充向工业、汽车等高功率市场拓展；2023年全球GaN射频市场规模约15亿美元，国内市场规模达102.9亿元，同比增长16.2%；在光电子领域，LED应用市场已十分成熟。TrendForce集邦咨询预测，全球GaN功率元件市场规模将从2023年的2.71亿美元增长至2030年的43.76亿美元，市场潜力巨大。

然而，产业的蓬勃发展离不开坚实的技术基础。Ⅲ族氮化物（如GaN、AlN）通常以六方纤锌矿结构存在，具有沿c轴方向的自发极化和压电极化效应。材料的极性（通常指Ga极性面或N极性面）直接影响外延生长模式、缺陷形成、二维电子气浓度、器件导通特性与可靠性。因此，极性是材料与器件研发中必须精确表征和控制的核心参数。目前，行业内缺乏统一、权威的极性测定标准，不同机构采用的测试方法（如化学腐蚀法、X射线衍射法等）在精度、普适性和直观性上存在局限，导致数据可比性差，不利于技术交流与质量管控。

高分辨扫描透射电子显微镜法，特别是基于球差校正技术的HAADF-STEM成像，能够直接观察到晶体原子柱的排列，通过分析原子序数衬度或晶体投影对称性，可以直观、准确地判定极性方向。该技术自上世纪90年代发展至今，理论体系完备，设备商业化程度高