Ⅲ族氮化物半导体晶圆表面缺陷测试 激光扫描法标准立项修订与发展报告.docxVIP

*

《Ⅲ族氮化物半导体晶圆表面缺陷测试激光扫描法》标准立项与发展研究报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardizationProject:TestMethodforSurfaceDefectsofGroupIIINitrideSemiconductorWafers—LaserScanningMethod

摘要

本报告围绕《Ⅲ族氮化物半导体晶圆表面缺陷测试激光扫描法》国家/行业标准的立项背景、核心内容及其对产业发展的战略意义进行系统性阐述。Ⅲ族氮化物半导体（以GaN、AlN为代表）作为第三代半导体的核心材料，在光电子与功率电子领域具有不可替代的战略地位。随着我国“十四五”规划等系列政策的强力推动，氮化镓单晶衬底及同质外延技术已成为产业升级的关键方向。然而，异质外延导致的高缺陷密度严重制约了器件性能的进一步提升，因此，对晶圆表面缺陷进行高精度、标准化、无损检测的需求日益迫切。

本报告详细分析了该标准立项的必要性，指出其旨在规范激光扫描法这一先进无损检测技术，通过集成反射、散射及光致发光等多模式成像与智能数据分析，实现对2英寸及以上Ⅲ族氮化物晶圆表面缺陷的精准识别、分类与量化统计。该标准的制定将填补国内在该细分检测领域的标准空白，为材料供应商、器件制造商提供统一、可靠的质量评估依据，是完善第三代半导体材料标准体系、保障上游材料产业健康发展的关键一环。报告结论认为，该标准的推进与实施，将显著提升我国宽禁带半导体材料的质量控制水平，强化产业链协同，为高端半导体器件的自主可控与性能突破奠定坚实的技术基础。

关键词：Ⅲ族氮化物；氮化镓；表面缺陷；激光扫描；无损检测；标准化；宽禁带半导体；材料表征

Keywords:GroupIIINitrides;GalliumNitride(GaN);SurfaceDefects;LaserScanning;Non-destructiveTesting;Standardization;WideBandgapSemiconductor;MaterialCharacterization

正文

一、立项背景与战略意义

Ⅲ族氮化物半导体，主要包括氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）及其合金（如AlGaN,InGaN），是一类典型的宽禁带直接带隙半导体材料。凭借其优异的物理化学性质，如高击穿电场、高电子饱和速率、耐高温及高效发光特性，该类材料已成为半导体照明（LED）、激光显示、高速射频器件以及高功率电力电子等前沿领域的核心材料基础，被全球公认为光电信息技术的战略制高点，各国均投入巨资进行研发与产业化布局。

我国政府对氮化镓等宽禁带半导体产业的发展给予了前所未有的高度重视，并将其纳入国家顶层战略规划。在《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》的“科技前沿领域攻关”专栏中，明确提出了发展“碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体”的目标。工信部发布的《重点新材料首批次应用示范指导目录》（2021年版及2024年版）连续将“氮化镓单晶衬底”和“氮化镓外延片”列为关键战略材料中的先进半导体材料。此外，科技部“战略性先进电子材料”重点专项也持续支持“氮化镓单晶衬底材料制备产业化技术”等关键项目。这一系列政策红利为产业发展注入了强大动力，推动产业向高端化迈进。

当前，主流的GaN基器件大多基于硅（Si）、碳化硅（SiC）或蓝宝石（sapphire）等异质衬底进行外延生长。然而，异质外延固有的晶格失配与热膨胀系数失配，不可避免地引入了高位错密度（通常高达10^8-10^9cm^-2）、镶嵌结构、双轴应力及晶圆翘曲等缺陷。这些缺陷成为限制器件性能与可靠性的关键瓶颈。例如，对于要求极高的长寿命、高功率激光器，其有源区的位错密度必须控制在10^5cm^-2量级以下。市场对高电流密度、高耐压、高功率电子器件的迫切需求，使得降低缺陷密度、提升材料本征质量成为必然选择。因此，采用低位错密度的氮化镓单晶衬底进行同质外延，已成为突破性能天花板的主流技术路径，相关衬底及外延片的研发与产业化正成为行业热点。

在此背景下，建立一套科学、统一、高效的晶圆表面缺陷检测与评估方法标准至关重要。表面缺陷（如颗粒、划痕、凹坑、生长缺陷等）是影响外延质量与器件良率的直接因素。《Ⅲ族氮化物半导体晶圆表面缺陷测试激光扫描法》标准的制定，旨在对当前先进的无损光学检测技术进行规范化。该标准的实施，将为企业提供权威的产品质量判据，促进上下游企业间的技术对接与贸易公平，对引导Ⅲ族氮化物半导体上游材料产业的高质量、规范化发展，以及完善我国第三代半导体材料从原料、衬底到外延片的完整标准体系，具有不可或缺的基础