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2014年武汉科技大学考研试题811无机材料科学基础(B卷)和标准答案

姓名：__________考号：__________

题号

一

二

三

四

五

总分

评分

一、单选题(共10题)

1.晶体结构中，晶胞的角点原子属于几个晶胞？()

A.1个

B.2个

C.8个

D.12个

2.下列哪种材料不属于陶瓷材料？()

A.氧化铝陶瓷

B.硅酸盐陶瓷

C.碳化硅陶瓷

D.钛合金

3.在金属晶体中，哪种缺陷对材料的强度影响最大？()

A.位错

B.挤出

C.溶解度

D.晶界

4.下列哪种材料属于非晶态材料？()

A.玻璃

B.氧化铝

C.硅橡胶

D.碳纤维

5.在晶体生长过程中，哪种生长方式对晶体质量影响较小？()

A.晶体生长

B.非晶态生长

C.晶体析出

D.晶体沉淀

6.在离子晶体中，哪种离子的电荷对晶体的熔点影响最大？()

A.Na+

B.K+

C.Mg2+

D.Ca2+

7.下列哪种材料不属于半导体材料？()

A.硅

B.锗

C.钙

D.砷化镓

8.在金属腐蚀过程中，哪种腐蚀类型对材料破坏最快？()

A.腐蚀疲劳

B.氧化腐蚀

C.电化学腐蚀

D.化学腐蚀

9.在复合材料中，哪种材料的增强效果最好？()

A.纤维

B.填料

C.界面

D.基体

10.在陶瓷烧结过程中，哪种因素对烧结温度影响最大？()

A.粒径大小

B.化学成分

C.烧结气氛

D.烧结时间

二、多选题(共5题)

11.下列哪些因素会影响金属的腐蚀速率？()

A.金属的种类

B.环境的湿度

C.氧气的浓度

D.材料的表面处理

12.在陶瓷材料的烧结过程中，以下哪些过程是必要的？()

A.粒子重排

B.化学反应

C.晶体生长

D.热膨胀

13.以下哪些是半导体材料的常见类型？()

A.硅

B.锗

C.碳化硅

D.钛

14.在复合材料中，以下哪些是增强材料？()

A.纤维

B.填料

C.界面

D.基体

15.在晶体结构中，以下哪些是常见的缺陷类型？()

A.位错

B.挤出

C.晶界

D.溶解度

三、填空题(共5题)

16.在陶瓷材料中，硅酸盐矿物通常具有哪种键合特性？

17.金属晶体的熔点通常与以下哪个因素密切相关？

18.半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是由于它们内部存在哪种类型的电子？

19.复合材料中的增强材料通常具有哪些优点？

20.在陶瓷材料的烧结过程中，哪种现象会导致晶粒尺寸的减小？

四、判断题(共5题)

21.金属的塑性变形主要是由于位错运动引起的。()

A.正确B.错误

22.陶瓷材料的烧结过程是一个物理变化过程。()

A.正确B.错误

23.所有半导体材料的导电性都低于导体。()

A.正确B.错误

24.复合材料的设计目的是为了克服单一材料的缺点。()

A.正确B.错误

25.在陶瓷材料的烧结过程中，温度越高，烧结速度越快。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

26.简述金属晶体中位错的形成机制及其对金属性能的影响。

27.解释陶瓷材料中玻璃相的形成及其对材料性能的影响。

28.比较陶瓷材料与金属材料的烧结特性，并说明其原因。

29.讨论复合材料中界面作用对复合材料性能的影响。

30.分析金属腐蚀的电化学过程，并解释阴极和阳极反应。

2014年武汉科技大学考研试题811无机材料科学基础(B卷)和标准答案

一、单选题(共10题)

1.【答案】C

【解析】晶胞的角点原子被8个相邻的晶胞共享，因此属于8个晶胞。

2.【答案】D

【解析】钛合金是一种金属合金，不属于陶瓷材料。

3.【答案】A

【解析】位错是金属晶体中常见的缺陷，对材料的强度影响最大。

4.【答案】A

【解析】玻璃是一种非晶态材料，没有长程有序的晶体结构。

5.【答案】B

【解析】非晶态生长没有晶体结构，对晶体质量影响较小。

6.【答案】C

【解析】Mg2+离子的电荷较大，对晶体的熔点影响最大。

7.【答案】C

【解析】钙是一种金属元素，不属于半导体材料。

8.【答案】C

【解析】电化学腐蚀通过电化学反应加速材料腐蚀，对材料破坏最快。

9.【答案】A

【解析】纤维材料在复合材料中具有很好的增强效果。

10.【答案