微电子器件课件（第4版）微电子器件（2-5）.pdfVIP

2.5PN结的势垒电容

2.5PN结的势垒电容

势垒电容CT

PN结电容

扩散电容CD

本节主要内容：势垒电容形成的机理；导出突变结、线性

本节主要内容：

缓变结和实际PN结的势垒电容的计算方法。

2.5.1势垒电容的定义

2.5.1势垒电容的定义

当外加电压有(-V)的变化时，势垒区宽度发生变化，使

势垒区中的空间电荷也发生相应的Q的变化

P区N区

PN结势垒微分电容C的定义为

T

（2-126）

简称为势垒电容

势垒电容

P区N区

由于x与x远小于势垒区总宽度x，所以可将这些变

pnd

化的电荷看作是集中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。这时

PN结势垒电容就像一个普通的平行板电容器，所以势垒电容

C可以简单地表为

T

（2-127）

有时也将单位面积的势垒电容称为势垒电容。

2.5.2突变结的势垒电容

2.5.2突变结的势垒电容

根据势垒电容的定义，

可得

（2-130）

式中，

突变结的势垒区总宽度xd可以表为

将上式代入平行板电容器公式

可以得到与式（2-130）相同的结果，即

+

对于PN单边突变结，

+

对于PN单边突变结，

可见，C也是取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

CT也是取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

T

当外加较大反向电压时，可将V略去，这时

bi

2.5.3线性缓变结的势垒电容

2.5.3线性缓变结的势垒电容

当外加较大反向电压时，

2.5.4实际PN结的势垒电容

实际结的势垒电容

2.5.4PN

实际PN结势垒电容C的计算

实际结势垒电容的计算

PNCT

T

方法一：查曲线（附录中的附图1）。

方法一：

方法二：将实际PN结近似看作单边突变结或线性缓变结，

方法二：

然后用相应的公式进行计算。

当结两侧掺杂浓度相差很大，N很小，a很大，x很小，

0j

xd很大（反向电压很大）时，