微电子器件课件(第4版)微电子器件(2-6).pdfVIP

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  • 2026-02-08 发布于浙江
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微电子器件课件(第4版)微电子器件(2-6).pdf

2.6PN结的交流小信号特性与扩散电容

2.6PN结的交流小信号特性与扩散电容

2.6.1交流小信号下的扩散电流

2.6.1交流小信号下的扩散电流

当PN结的外加电压为

时,式中,V为直流电压,VkT/q

00

V为迭加在直流偏压上的交流小信号电压振幅,|V|kT/q

11

ω为角频率,

则PN结的扩散电流也具有如下形式

求扩散电容C的思路

求扩散电容的思路

C

D

D

对于给定的V,求出与之相应的I,可得到PN结的交流

11

小信号导纳,Y的实部为PN结小信号电导gD,Y的

虚部中即包含了PN结的扩散电容C,即

D

以N区中的空穴扩散电流为例,取N区与势垒区的边界为

坐标原点,由结定律可得边(x=0)处的少子浓度为

上式中,由于,可利用近似公式

得:

可见x=0处的少子浓度由直流分量和交流小信号分量组成,该

处少子浓度直流分量和交流小信号分量的边界条件分别为

小信号条件的作用是将p(0)与V的关系线性化。

小信号11线性化

在ω不太高的情况下,可以假设在N区内任意位置x处,

p(x,t)也由直流分量和交流小信号分量组成,即

n

将此pn(x,t)代入空穴扩散方程

并将方程分拆成不含和含的两个方程,即

将以上两个方程分别写为

解第一个方程可得N区内少子浓度分布的直流分量p(x),

0

代入空穴电流密度方程,得到空穴扩散电流密度的直流分量

同理,电子扩散电流密度中的直流分量为

于是可得PN结正向扩散电流中的直流分量为

直流分量

解第二个扩散方程

结合少子浓度交流小信号分量的边界条件,

可得N区内少子浓度分布的交流小信号分量p(x)ejωt,

1

将所得到的p(x)ejωt代入空穴电流密度方程,可得到空穴

1

扩散电流密度的交流分量,

同理,电子扩散电流密度的交流分量为

于是可得PN结正向扩散电流中的交流分量为

交流分量

式中,

2.6.2交流导纳与扩散电容

PN结的小信号交流导纳为

小信号交流导纳

在的情况下,由近似公式,得

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