CN114121978A 半导体器件的制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114121978A布日2022.03.01

(21)申请号202111210553.6

(22)申请日2021.10.18

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人杨永刚

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

代理人高洁张颖玲

(51)Int.CI.

HO1LHO1LHO1L

HO1L

27/11524(2017.01)

27/11551(2017.01)

27/1157(2017.01)

27/11578(2017.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法

(57)摘要

CN114121978A本公开实施例公开了一种半导体器件的制作方法。所述方法包括：提供伪堆叠结构；其中，所述伪堆叠结构包括：交替堆叠设置的绝缘层和间隙以及贯穿所述伪堆叠结构的凹槽，所述凹槽与所述间隙连通；沿所述凹槽和所述间隙共形地沉积介电材料，以形成覆盖所述凹槽侧壁、所述间隙表面和所述凹槽底部的介电层；对覆盖所述凹槽侧壁和覆盖所述凹槽