微电子器件课件（第4版）微电子器件（2-4）.pdfVIP

2.4PN结的击穿

2.4PN结的击穿

击穿现象

击穿机理：

雪崩倍增

电击穿

隧道效应

热击穿

2.4.1碰撞电离率和雪崩倍增因子

2.4.1碰撞电离率和雪崩倍增因子

电子（或空穴）在两次碰撞之间从电场E获得的能量为

在耗尽区中，反向电压

就会使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子

空穴对，这叫做碰撞电离。

碰撞电离

1、碰撞电离率

1、碰撞电离率

一个自由电子（或空穴）在单位距离内通过碰撞电离产生

单位距离

的新的电子空穴对的数目称为电子（或空穴）的碰撞电离率，

新的电子空穴对的数目碰撞电离率

记为（或）。

inip

inip

与电场E强烈有关，如下图所示

i

可用如下经验公式近似表示

或

2、雪崩倍增因子

2、雪崩倍增因子

包括碰撞电离作用在内的流出耗尽区的总电流与未发生碰

撞电离时的原始电流之比，称为雪崩倍增因子，记为M。

雪崩倍增因子M

N区P区

原始电流：

因碰撞电离而增加的电流：

所以：

N区P区

单位时间内流过位于x处单位面积的空穴数目为

由于这些空穴的碰撞电离而在dx距离内新增的流出(x+dx)

面的空穴数目为

同理，由于电子的碰撞电离在dx距离内新增的流出(x+dx)

面的空穴数目为

为简便起见，假设，则流出(x+dx)面的总的

新增空穴数目为

在dx距离内新增的空穴电流密度为

将上式x=0到x=x积分，得：

d

式中，称为电离率积分。

电离率积分。

3、雪崩击穿条件

3、雪崩击穿条件

当，总电流就是原始电流J，表示

0

无雪崩倍增效应。

随着反向电压

，这时发生

雪崩击穿。由此可得发生雪崩击穿的条件是

雪崩击穿雪崩击穿的条件

2.4.2雪崩击穿

2.4.2雪崩击穿

1