微电子器件课件（第4版）微电子器件（3-1）.pdfVIP

第3章双极结型晶体管

第章双极结型晶体管

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3.1双极结型晶体管基础

3.1双极结型晶体管基础

PN结正向电流的来源是多子，所以正向电流很大；反向

电流的来源是少子，所以反向电流很小

如果能用其他方法给反偏PN结提供大量少子，就能提高

反偏PN结的电流

给反偏PN结提供少子的方法之一是在其附近制作一个正偏

PN结，使正偏PN结注入的少子来不及复合就被反偏PN结收集

而形成很大的反向电流。反向电流的大小取决于其附近正偏PN

结偏压的大小。

PNP

通过改变正偏PN结的偏压来控制其附近反偏PN结的电流

通过改变正偏PN结的偏压来控制其附近反偏PN结的电流

的方法称为双极晶体管效应，由此发明的双极结型晶体管获得

的方法称为双极晶体管效应，

了诺贝尔物理奖。

双极结型晶体管(BipolarJunctionTransistor)简称为双极

型晶体管，或晶体管。

3.1.1双极结型晶体管的结构

3.1.1双极结型晶体管的结构

双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型，其结构

示意图和在电路图中的符号如下

ECEC

PNPNPN

BB

ECEC

BB

均匀基区晶体管：基区掺杂为均匀分布。少子在基区主要

均匀基区晶体管：

作扩散运动，又称为扩散晶体管。

扩散晶体管

缓变基区晶体管：基区掺杂近似为指数分布，少子在基区

缓变基区晶体管：

主要作漂移运动，又称为漂移晶体管。

漂移晶体管

N(x)

0E

N+

N(x)

xB

jeN

PC

x

jc

N

xx