CN113764261B 空桥结构及其制作方法、超导量子芯片及其制作方法 （腾讯科技（深圳）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113764261B(45)授权公告日2023.08.22

(21)申请号202011105613.3

(22)申请日2020.10.15

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113764261A

(43)申请公布日2021.12.07

(73)专利权人腾讯科技(深圳有限公司

地址518000广东省深圳市南山区高新区

科技中一路腾讯大厦35层

专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

(72)发明人张文龙杨楚宏淮赛男郑亚锐张胜誉冯加贵熊康林

黄永丹陈肖丁孙安

(74)专利代理机构北京市立方律师事务所

11330

专利代理师张筱宁

(51)Int.CI.

H01L21/027(2006.01)

GO6N10/20(2022.01)

(56)对比文件

CN1466189A,2004.01.07

CN101330009A,2008.12.24CN102915957A,2013.02.06CN106024702A,2016.10.12CN109279572A,2019.01.29CN110277376A,2019.09.24CN1514478A,2004.07.21

EP0812016A1,1997.12.10

US4670297A,1987.06.02

US5219713A,1993.06.15

US2005277064A1,2005.12.15审查员张静敏

权利要求书3页说明书11页附图7页

(54)发明名称

提供一衬底，在衬底上形成第一光刻胶结构，第一光刻胶结构包括第一光刻胶层和第二光刻胶层，光刻胶结构设置有至少一个贯穿第一光刻胶层和第二光刻胶层的第一开口，第一开口包括贯穿第二光刻胶层且具有底切

提供一衬底，在衬底上形成第一光刻胶结构，第一光刻胶结构包括第一光刻胶层

和第二光刻胶层，光刻胶结构设置有至少一个贯穿第一光刻胶层和第二光刻胶层

的第一开口，第一开口包括贯穿第二光刻胶层且具有底切结构的第一子开口和贯

穿第一光刻胶层的第二子开口

在形成第一光刻胶结构的衬底上沉积无机桥撑材料层，并剥离第一光刻胶结构以形成位于第一开口处的桥撑结构

在衬底形成桥撑结构的一面上形成第二光刻胶结构，第二光刻胶结构包括第三光刻胶层，第二光刻胶结构设置有至少一个贯穿第三光刻胶层的第二开口，桥撑结一

构位于第二开口内且第二开口用于形成空桥结构

在形成第二光刻胶结构的衬底上沉积空桥材料层，剥离第二光刻胶结构并释放桥撑结构以获得空桥结构

S2

(57)摘要

CN113764261B本实施例提供了一种空桥结构及其制作方法、超导量子芯片及其制作方法。该空桥结构及其制作方法利用无机材料来形成桥撑结构，能够通过调整第一光刻胶结构来调整桥撑结构的形状，从而获得形状符合预期的空桥结构；而且形成桥撑结构的过程的温度不会过高，能够避免高温引起的光刻胶性质改变而难以去除的问题，也能够避免高温对温度敏感器件的性质产生影响，同时，采用剥离第二光刻胶结构的方式来获得空桥结构，不必对空桥材料层进行刻蚀，防止底部

CN113764261B

CN113764261B权利要求书1/3页

2

1.一种空桥结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成第一光刻胶结构，所述第一光刻胶结构包括第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶结构设置有至少一个贯穿所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的第一开口，所述第一开口包括贯穿所述第二光刻胶层且具有底切结构的第一子开口和贯穿所述第一光刻胶层的第二子开口；所述底切结构指底部比顶部宽的结构，所述底部靠近所述衬底，所述顶部远离所述衬底；

在形成所述第一光刻胶结构的所述衬底上沉积无机桥撑材料层，并剥离所述第一光刻胶结构以形成位于所述第一开口处的桥撑结构；

在所述衬底形成所述桥撑结构的一面上形成第二光刻胶结构，所述第二光刻胶结构包括第三光刻胶层，所述第二光刻胶结构设置有至少一个贯穿所述第三光刻胶层的第二开口，所述桥撑结构位于所述第二开口内且所述第二开口用于形成所述空桥结构；

在形成所述第二光刻胶结构的所述衬底上沉积空桥材料层，剥离所述第二光刻胶结构并释放所述桥撑结构以获得所述空桥结构。

2.根据权利要求1所述的空桥结构的制作方法，其特征