CN111933690A 一种功率器件及其制作方法 （江苏宏微科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111933690A

(43)申请公布日2020.11.13

(21)申请号202011012348.4

(22)申请日2020.09.24

(71)申请人江苏宏微科技股份有限公司

地址213022江苏省常州市新北区华山中

路18号

(72)发明人张景超赵善麒

(74)专利代理机构常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231

代理人陈红桥

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

H01L21/336(2006.01)

权利要求书3页说明书11页附图15页

(54)发明名称

一种功率器件及其制作方法

(57)摘要

CN111933690A本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率器件，包括N基体、P-外延层和栅极，所述N基体上形成P-外延层，所述P-外延层内设有沟槽，所述P-外延层内形成有相互隔离的第一N+层和第二N+层，所述第一N+层电连接位于所述P-外延层表面的源极，所述第二N+层电连接位于所述N基体底部的漏极，所述栅极至少一部分形成在所述沟槽内，且所述栅极沿着所述第一N+层和第二N+层的排布方向延伸，当所述栅极施加开启电压时，所述第一N+层和第二N+层之间的P-沟道层形成横向的导电沟道。本发明提供的一种功率器

CN111933690A

CN111933690A权利要求书1/3页

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1.一种功率器件，其特征在于，包括：

N基体(1),所述N基体(1)上形成P-外延层(2),所述P-外延层(2)内设有沟槽(21);

P-外延层(2),所述P-外延层(2)内形成有相互隔离的第一N+层(22)和第二N+层(23),所述第一N+层(22)电连接位于所述P-外延层(2)表面的源极(4),所述第二N+层(23)电连接位于所述N基体(1)底部的漏极(5);

栅极(211),所述栅极(211)至少一部分形成在所述沟槽(21)内，且所述栅极(211)沿着所述第一N+层(22)和第二N+层(23)的排布方向延伸，当所述栅极(211)施加开启电压时，所述第一N+层(22)和第二N+层(23)之间的P-沟道层(24)形成横向的导电沟道。

2.根据权利要求1所述的一种功率器件，其特征在于，所述第一N+层(22)和所述N基体(1)之间通过第一P+层(25)隔开，所述第一P+层(25)至少一部分形成在所述P-外延层(2)中或者至少一部分形成在所述N基体(1)中。

3.根据权利要求1所述的一种功率器件，其特征在于，所述第二N+层(23)和所述沟槽(21)的底部之间形成有第一P+层(25),所述第一P+层(25)包裹所述沟槽(21)的底部及底部侧边。

4.根据权利要求1所述的一种功率器件，其特征在于，所述第一N+层(22)的底端高于所述沟槽(21)的底端，且在所述P-外延层(2)中，位于所述沟槽(21)的底部以及底部侧边的区域均形成有第一P+层(25)。

5.根据权利要求1所述的一种功率器件，其特征在于，所述第一N+层(22)和所述P-沟道层(24)的外表面均形成有第二P+层(26)。

6.根据权利要求1所述的一种功率器件，其特征在于，所述沟槽(21)上还设有绝缘介质层(3),所述绝缘介质层(3)和所述第二N+层(23)之间形成有第三P+层(27)。

7.根据权利要求1所述的一种功率器件，其特征在于，所述沟槽(21)的侧壁外沿所述第一N+层(22)和第二N+层(23)的排布方向交错设置有多个所述第一N+层(22)和第二N+层

(23),且任意两个所述第一N+层(22)和第二N+层(23)之间均由所述P-沟道层(24)隔离。

8.根据权利要求1所述的一种功率器件，其特征在于，所述N基体(1)和所述P-外延层

(2)的材料均为SiC。

9.一种功率器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:采用外延工艺，在N基体(1)表面外延制得P-外延层(2);

S2:采用刻蚀工艺，在所述P-外延层(2)光刻定义出沟槽区域，并进行刻蚀，形成沟槽

(21);

S3:采用离子注入工艺，利用注入角度选择性地将铝离子注入到所述沟槽(21)底部及底部侧边相应区域形成第一P+层(25);

S4:采用光刻和离子注入工艺，首先光刻定义出需