CN111883608A 一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法 （武汉光谷信息光电子创新中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111883608A

(43)申请公布日2020.11.03

(21)申请号202010652114.X

(22)申请日2020.07.08

(71)申请人武汉光谷信息光电子创新中心有限公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区关山街邮科院路88号1幢1-3层申请人武汉邮电科学研究院有限公司

(72)发明人王磊肖希陈代高胡晓张宇光李淼峰余少华

(74)专利代理机构武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)42225

代理人孟欢

(51)Int.CI.

HO1L31/107(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法

(57)摘要

CN111883608A4本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包括P型重掺覆盖层硅区、本征覆盖层硅区、过渡覆盖层硅区，过渡覆盖层硅区远离本征覆盖层硅区的一端与过渡底层硅区接触，以形成电荷过渡区；P电极与P型重掺覆盖层硅区相连；N电极与N型重掺杂底层硅区相连。本申请的锗硅雪崩光电探测器，不采

CN111883608A

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CN111883608A权利要求书1/1页

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1.一种锗硅雪崩光电探测器，其特征在于，包括：

埋氧层(4);

底层(2),其设于所述埋氧层(4)上，所述底层(2)依次包括由单晶硅多步掺杂而成的本征底层硅区(5)、过渡底层硅区(9)、倍增区(10)、N型重掺杂底层硅区(11);

本征锗层(1),其设于所述底层(2)上，且所述本征锗层(1)在所述底层(2)上的投影覆盖部分本征底层硅区(5)、以及部分过渡底层硅区(9);

覆盖层(3),其覆盖于所述本征锗层(1)上，所述覆盖层(3)依次包括由多晶硅多步掺杂而成的P型重掺覆盖层硅区(6)、本征覆盖层硅区(7)、过渡覆盖层硅区(8),所述P型重掺覆盖层硅区(6)远离本征覆盖层硅区(7)的一端与本征底层硅区(5)接触，所述过渡覆盖层硅区(8)远离本征覆盖层硅区(7)的一端与过渡底层硅区(9)接触，以形成电荷过渡区(16);

P电极(13),其与所述P型重掺覆盖硅区(6)相连；

N电极(15),其与所述N型重掺杂底层硅区(11)相连。

2.如权利要求1所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述过渡底层硅区(9)和过渡覆盖层硅区(8)的掺杂浓度相同。

3.如权利要求2所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述过渡底层硅区(9)的掺杂浓度小于P型重掺覆盖层硅区(6)的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述本征覆盖层硅区(7)全部位于所述本征锗层(1)的顶部，所述P型重掺覆盖层硅区(6)和过渡覆盖层硅区(8)均部分位于所述本征锗层(1)的顶部，部分位于所述本征锗层(1)的一侧。

5.如权利要求1所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述P电极(13)通过P极通孔

(12)与所述P型重掺覆盖硅区(6)相连。

6.如权利要求1所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述N电极(15)通过N极通孔(14)与所述N型重掺杂底层硅区(11)相连。

7.如权利要求1所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述本征锗层(1)为梯形结构。

8.一种如权利要求1至7任一项所述的锗硅雪崩光电探测器的制作方法，其特征在于，包括步骤：

通过多次底层掺杂，制作本征底层硅区(5)、过渡底层硅区(9)、倍增区(10)、N型重掺杂底层硅区(11);

外延锗制作本征锗层(1);

沉积覆盖硅层；

多次覆盖层硅掺杂，制作P型重掺覆盖层硅区(6)、本征覆盖层硅区(7)、过渡覆盖层硅区(8);

通过后端金属通孔工艺，将P电极(13)与P型重掺覆盖层硅区(6)连接，并将N电极(15)与N型重掺杂底层硅区(11)连接。

CN111883608A说明书1/4页

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一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法

技术领域

[0001]本申请涉及光子集成器件技术领域，特别涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作