CN111863951A 增强型复合栅晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN111863951A布日2020.10.30

(21)申请号202010735319.4

(22)申请日2020.07.28

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维王海永杨翠高北鸾郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/423(2006.01)

H01L29/06(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

权利要求书3页说明书13页附图5页

(54)发明名称

增强型复合栅晶体管及其制作方法

L?

L?

栅极10

N型层51

P型层4N型层5势垒层3

过渡层2

保护层11栅柱6

源极7

漏极8

台面9

CN111863951A(57)摘要衬底1本发明公开了两种增强型复合栅晶体管及其制作方法，主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、栅柱(6)、源极(7)、漏极(8)、台面(9)、栅极(10)和保护层(16)。其中栅柱具有两种结构，第一种结构中的栅柱由P型层(4)和N型层(5)组成，其N型层包括N型层(51)和N型层(52);第二种结构中的栅柱由P型层(4)和N型排柱(5)组成，其N型排柱包括N柱(51)和N+柱(52)。本发明阈值电压高，可靠性好，且制

CN111863951A

(57)摘要

衬底1

CN111863951A权利要求书1/3页

2

1.一种增强型复合栅晶体管，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、保护层(11);势垒层(3)的侧面刻有台面(9),势垒层(3)上部设有栅柱(6);栅柱(6)的左右侧分别淀积有源极(7)和漏极(8),其上部淀积有栅极(10),其特征在于：

所述栅柱(6)由P型层(4)和N型层(5)组成，且外围设有保护层(11);

所述N型层(5)由下部的N型层(51)和上部的N型层(52)组成；

所述P型层(4)与N型层(51)形成PN结。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于P型层(4)的厚度为5～300nm、掺杂浓度为5×101?~5×102?cm-3。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于N型层(51)的掺杂浓度为1×1011~1×101cm?3,其厚度大于等于P型层(4)的厚度，其掺杂浓度小于等于P型层(4)的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于N型层(52)的掺杂浓度为1×101?~5×102cm?3,其厚度小于N型层(51)的厚度，其掺杂浓度大于等于N型层(51)的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述栅柱(6)的长度L?≥1nm,栅极(10)的长度小于栅柱(6)的长度L?。

6.一种制作权利要求1增强型复合栅晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：

A)在衬底(1)上采用金属有机物化学气相淀积技术外延GaN基宽禁带半导体材料，形成厚度为1～10μm的过渡层(2);

B)在过渡层(2)上采用金属有机物化学气相淀积技术外延GaN基宽禁带半导体材料，形成厚度为4～60nm的势垒层(3);

C)在势垒层(3)上采用外延淀积技术外延P型GaN半导体材料，形成厚度为5～300nm、掺杂浓度为5×101?~5×102?cm?3的P型层(4);

D)制作N型层(5):

D1)在P型层(4)上采用外延淀积技术外延N型GaN半导体材料，形成厚度大于等于P型层(4)的厚度、掺杂浓度为1×1011~1×101?cm?3的N型层(51);

D2)在N型层(51)上采用外延淀积技术外延N型GaN半导体材料，形成厚度小于N型层(51)的厚度、掺杂浓度为1×101?~5×102?cm-?3的N型层(52),N型层(51)与N型层(52)共同构成N型层(5);

E)在N型层(5)上第一次制作掩膜，利用该掩膜在N型层(5)的两侧进行刻蚀，且刻蚀至势垒层(3)上表面为止，形成长度L?≥1nm的栅柱(6);

F)制作源极(7)和漏极(8):

在势垒层(3)和栅柱(6)的上部第二次制作掩膜，利用该掩模在势垒层(3)的两