CN111868008B 以碳化硅制作具有受控孔隙率的多孔预成型件的方法以及碳化硅多孔预成型件 （乐姆宝公开有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111868008B(45)授权公告日2022.12.23

(21)申请号201880086610.4

(22)申请日2018.12.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111868008A

(43)申请公布日2020.10.30

(30)优先权数据

1020170001474882017.12.20IT

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2020.07.15

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/IB2018/0602162018.12.18

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2019/123223EN2019.06.27

(73)专利权人乐姆宝公开有限公司地址意大利贝加莫

专利权人国家新技术、能源和可持续经济发展局(ENEA)

(72)发明人马蒂亚·阿莱马尼马里奥·蒂罗尼

朱塞佩·马尼亚尼

费代丽卡·布尔焦

(74)专利代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司51258

专利代理师王晖吴莎

(51)Int.CI.

C04B35/573(2006.01)

F16D65/12(2006.01)

CO4B35/645(2006.01)

C04B38/00(2006.01)

(56)对比文件

WO9641030A1,1996.12.19

US2014182806A1,2014.07.03

WO9217297A1,1992.10.15

CN107000249A,2017.08.01

WO9117011A1,1991.11.14

WO2008007401A1,2008.01.17

CN102500748A,2012.06.20(续)

审查员杨静

权利要求书3页说明书16页附图4页

(54)发明名称

以碳化硅制作具有受控孔隙率的多孔预成型件的方法以及碳化硅多孔预成型件

(57)摘要

本发明涉及以碳化硅制作具有受控孔隙率的多孔预成型件的方法。该方法包括操作步骤：

a)使许多碳化硅粉末在模具中成型，以获得具有

111868008B初始孔隙率φ1的半制成预成型件；b)在惰性气氛中于1,600℃至2,000℃的范围中的温度处对所述半制成预成型件进行预烧结，以获得具有比初始孔隙率φ1高的中间孔隙率φ2的经预烧结的预成型件；c)使所述经预烧结的预成型件经受一个或多个热处理循环。每个热处理循环依次包括：在空气中于700℃至1,250℃范围中的温度处

111868008B

CN范围中的温度处进行部分烧结的子阶段c2)

CN

步骤c)之后，获得了具有最终孔隙率φ3的多孔预成型件，最终孔隙率φ3比经烧结的预成型件的中间孔隙率φ2高。

成型压力(t/cm2)

[转续页]

CN111868008B2/2页

2

[接上页]

(56)对比文件

CN1034192A,1989.07.26

CN102099289A,2011.06.15CN103276277A,2013.09.04WO9830328A1,1998.07.16

JP特开2000-351679A,2000.12.19JP特开2010-275122A,2010.12.09

EP3000797A1,2016.03.30

武七德等.碳化硅材料的氧化及抗氧化研究.《陶瓷科学与艺术》.2002,(第1期),

LiuJunwu等.Pressureless

infiltrationofliquidaluminumalloy

intoSiCpreformstoformnear-net-shapeSiC/Alcomposites.《JournalofAlloysandCompounds》.2007,第465卷

CN111868008B权利要求书1/3页

3

1.一种以碳化硅制作具有受控孔隙率的多孔预成型件的方法，所述方法包括以下步骤：

a)使许多碳化硅粉末在模具中成型，以获得具有初始孔隙率φ1的半制成预成型件；

b)在惰性气氛中、于1,600