CN111856783A 光器件及其制作方法 (韩国科学技术院).docxVIP

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CN111856783A 光器件及其制作方法 (韩国科学技术院).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111856783A

(43)申请公布日2020.10.30

(21)申请号201911127858.3

(22)申请日2019.11.18

(30)优先权数据

10-2019-00477782019.04.24KR

(71)申请人韩国科学技术院地址韩国大田

(72)发明人蒋畋锡韩相億金信昊

(74)专利代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司51258

代理人金相允洪玉姬

(51)Int.CI.

GO2F1/01(2006.01)

GO2F1/19(2019.01)

权利要求书3页说明书6页附图10页

(54)发明名称

光器件及其制作方法

(57)摘要

CN111856783A本发明涉及光器件及其制作方法,更详细地,涉及如下的光器件,即,上述光器件包括:下部电极;绝缘膜,形成于上述下部电极上;多个上部电极,形成于上述绝缘膜上;以及多个可变电导率图案,在上述绝缘膜上,分别与多个上述上部电极相邻配置。多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极及第二电极,多个上述第一电极之间的间距与多个上述第二电极之间的间距相同,相邻的多个上述第一电极之间配置上述第二电极相邻的多个上述第一电极中的一个与上述第二电极之间的距离为第一距离,相邻的多个上述第一电极中的另一个与上述第二电极之间

CN111856783A

CN111856783A权利要求书1/3页

2

1.一种光器件,其特征在于,

包括:

下部电极;

绝缘膜,形成于上述下部电极上;

多个上部电极,形成于上述绝缘膜上;以及

多个可变电导率图案,在上述绝缘膜上,分别与多个上述上部电极相邻配置,

多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极和第二电极,

多个上述第一电极之间的间距与多个上述第二电极之间的间距相同,

在相邻的多个上述第一电极之间配置多个上述第二电极,

相邻的多个上述第一电极中的一个与上述第二电极之间的距离为第一距离,

相邻的多个上述第一电极中的另一个与上述第二电极之间的距离为第二距离,上述第二距离与上述第一距离互不相同。

2.根据权利要求1所述的光器件,其特征在于,可变电导率图案包含石墨烯、氧化铟锡或黑磷。

3.根据权利要求1所述的光器件,其特征在于,多个上述可变电导率图案包括分别与上述第一电极及第二电极相邻配置的多个第一可变电导率图案及第二可变电导率图案。

4.根据权利要求3所述的光器件,其特征在于,

多个上述第一可变电导率图案直接与上述第一电极的一侧相接触,

多个上述第二可变电导率图案直接与上述第二电极的一侧相接触。

5.根据权利要求4所述的光器件,其特征在于,

多个上述第一可变电导率图案与相邻的上述第二电极隔开,

多个上述第二可变电导率图案分别与相邻的上述第一电极隔开。

6.根据权利要求3所述的光器件,其特征在于,

多个上述第一可变电导率图案均与相邻的上述第一电极及上述第二电极隔开,

多个上述第二可变电导率图案均与相邻的上述第一电极及上述第二电极隔开。

7.根据权利要求3所述的光器件,其特征在于,

多个上述第一电极及第二电极具有相同的第一宽度,

多个上述第一可变电导率图案具有第二宽度,

多个上述第二可变电导率图案具有与上述第二宽度不同的第三宽度。

8.根据权利要求1所述的光器件,其特征在于,上述下部电极呈平板形态。

9.根据权利要求1所述的光器件,其特征在于,

上述上部电极呈沿着第一方向延伸的线形态,

多个上述可变电导率图案沿着上述上部电极向上述第一方向延伸。

10.根据权利要求1所述的光器件,其特征在于,

向多个上述第一电极共同施加第一电压,

向多个上述第二电极共同施加第二电压,

上述第二电压与上述第一电压互不相同。

11.一种光器件,其特征在于,

包括:

CN111856783A权利要求书2/3页

3

下部电极;

绝缘膜,形成于上述下部电极上;

多个上部电极,形成于上述绝缘膜上;以及

多个可变电导率图案,在上述绝缘膜上,分别与多个上述上部电极相邻配置于,多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极及第二电极,

多个上述可变电导率图案包括分别与多个上述第一电极及第二电极相邻配置的多个第一可变电导率图案及第二可变电导率图案,

多个上述第一电极及第二电极具

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